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下村研究室は光集積回路実現に関する研究を行っています。   ▷English

〒102-8554 東京都千代田区紀尾井町7-1
4号館275A室

光通信・光集積回路・光デバイス・結晶成長

下村研究室は、光集積回路実現に関する研究を行っています。

Policy


光ファイバ通信技術は現代の情報化社会を支える重要な技術となっていますが、これは光ファイバはもとより、半導体レーザ、光変調器、光検出器等の光デバイスの高性能化によって実現されたと言って良いでしょう。
われわれの研究室では次世代光通信システム、光集積回路実現のために、光の持つ「時間」「空間」「波長」という3つの特長を最大限利用した機能デバイスについて研究を行っています。一口にデバイス研究と言っても、理論的検討、設計(数値計算)から始まり、ウエハ成長(化合物半導体結晶、GaInAsP/InP多重量子井戸構造等)、製作(電子ビーム露光、光露光によるパターン形成、エッチング、電極形成、マウント)、測定(電子顕微鏡測定、電圧電流測定、光スペクトル測定、出射光強度測定)までありますが、当研究室では会社では何十人もの手を渡る工程を努力次第では一人ですべてできる環境を整えています。そして、こうした一連の過程を身をもって体験することにより、工学的センスを磨くことを研究・教育の方針としています。

NEWS新着情報

2019年4月1日
研究室メンバーを更新しました。
2019年3月21日
相川政輝が電子情報通信学会 光エレクトロニクス研究会において学生優秀研究賞を受賞しました。その表彰式が2019年総合大会にて行われました。
2019年3月9,10日
韓 旭、松浦正樹、石崎隆浩、石原理暉、白井琢人、対馬幸樹が第66回応用物理学春季学術講演会(東京工業大学・大岡山キャンパス, 東京)にて発表。
2019年1月
自己触媒成長による星形ナノワイヤに関する論文が掲載されました。
S. Yoshimura et.al., "Fabrication of star-shaped InP/GaInAs core-multishell nanowires by self-catalytic VLS mode", J. Crystal Growth, vol. 509, pp.66-70, Mar. 1, 2019. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.12.015
2018年12月
InP/Si基板上MQWレーザの発振特性に関する論文が掲載されました。
H. Sugiyama et.al., "MOVPE grown GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW laser diode on directly- bonded InP/Si substrate", J. Crystal Growth, vol. 507, pp. 93-97, Feb. 1, 2019. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.10.024
2018年9月18,19,20日
杉山滉一、韓 旭、松浦正樹、早坂夏樹、石田勝晃、善村聡至、内田和希、矢田拓夢が第79回応用物理学秋季学術講演会(名古屋国際会議場, 名古屋)にて発表。
2018年9月18日
相川政輝が26th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2018), Santa Fe, New Mexico, USA,にて発表。
2018年8月24日
相川政輝が電子情報通信学会光エレクトロニクス研究会(小樽経済センター, 北海道)にて発表。
2018年8月2日
オープンキャンパスにて研究室公開を行いました。
2018年8月1日
矢田拓夢がThe 13th Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO-PR 2018), Hong Kong Convention and Exhibition Centreにて発表。
2018年7月26日
下村和彦が電気学会パワー光源及び応用システム研究会(ルーテル市谷センター, 東京)にて発表。
2018年6月19日
P. Gandhi KallarasanがEMN Vienna Meeting 2018 (Vienna, Austria) にて招待講演発表。
2018年6月5,7,8日
善村聡至、杉山滉一、内田和希、石田勝晃が19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)(Nara Kasugano International Forum, Nara, Japan)にて発表 。
2018年5月24,25日
矢田拓夢が電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会(芦原温泉清風荘、福井)にて発表。優秀ポスター賞を受賞しました。
2018年5月15日
P. Gandhi KallarasanがConference on Lasers and Electro-Optics 2018 (San Jose, CA, USA)にて発表。
2018年4月25日
下村和彦がSPIE Photonics Europe 2018(Strasbourg Convention & Exhibition Centre, Strasbourg, France)にて招待講演発表。
2018年4月
研究室メンバーを更新しました。
2018年3月17,19日
P. Gandhi Kallarasan、杉山滉一、内田和希、早坂夏樹、善村聡至、石田勝晃が第65回応用物理学春季学術講演会(早稲田大学・西早稲田キャンパス, 東京)にて発表。
2018年3月16日
研究内容に関して、大学よりプレスリリースされました。上智大学ホームページ・プレスリリース
2018年2月
InP/Si基板上GaInAsPレーザの接合温度に関する論文が掲載されました。
M. Aikawa et. al., "Bonding temperature dependence of GaInAsP/InP laser diode grown on hydrophilically directly bonded InP/Si substrate", Jpn. J. Appl. Phys., vol. 57, no. 2S1, 02BB04, pp.02BB04-1-6, Feb. 2018.
2017年9月13日
下村和彦が電子情報通信学会2017年ソサイエティ大会(東京都市大学 世田谷キャンパス, 東京)にてシンポジウム講演発表。
2017年9月5-7日
鎌田直樹、韓 旭、石田勝晃、P. Gandhi Kallarasan、杉山滉一、内田和希、善村聡至が第78回応用物理学秋季学術講演会(福岡国際会議場, 福岡)にて発表。
2017年9月1日
相川政輝が電子情報通信学会研究会(弘前文化センター,青森)にて発表。
2017年8月3日
杉山滉一、内田和希 がThe 22nd OptoElectronics and Communications Conference (Sands Expo and Convention Centre, Singapore)にて発表。
2017年5月29,30日
高野紘平、善村聡至 が10th Nanowire Growth Workshop, 9th NANOWIRES (Lund, Sweden)にて発表。
2017年5月19日
U.S.-Japan Research InstituteのUniversity Research Report vol.58に研究が紹介されました。Sophia University, Kazuhiko Shimomura
2017年5月17日
下村和彦が2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (The University of Tokyo, Tokyo, Japan)にて招待講演発表。相川政輝 、早坂夏樹が同ワークショップにて発表。
2017年5月16日
P. Gandhi KallarasanがConference on Lasers and Electro-Optics 2017 (San Jose, CA, USA)にて発表。
2017年5月15日
大貫雄也、鎌田直樹がCompound Semiconductor Week 2017 (Berlin, Germany)にて発表。

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