GaInAs/InP MQWを用いたMMI導波路の試作
GaInAs/InP
MQW基板を用いて電子線露光により入射導波路幅3μm、MMI導波路幅30μm、MMI導波路長545~560μmのMMI
導波路を作製し、入射光波長1.55μmでの導波測定を行いました。
作製した素子の近視野像
MMI導波路中を光(波長 :
1.55μm)が伝搬し、出射側から見た光の像です。
1:4MMI導波路
1:16MMI導波路
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