自己触媒成長による星形ナノワイヤに関する論文が掲載されました。
S. Yoshimura et.al., "Fabrication of star-shaped InP/GaInAs core-multishell nanowires by self-catalytic VLS mode", J. Crystal Growth, vol. 509, pp.66-70, Mar. 1, 2019.
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.12.015
2018年12月
InP/Si基板上MQWレーザの発振特性に関する論文が掲載されました。
H. Sugiyama et.al., "MOVPE grown GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW laser diode on directly- bonded InP/Si substrate", J. Crystal Growth, vol. 507, pp. 93-97, Feb. 1, 2019.
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.10.024
相川政輝が26th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2018), Santa Fe, New Mexico, USA,にて発表。
2018年8月24日
相川政輝が電子情報通信学会光エレクトロニクス研究会(小樽経済センター, 北海道)にて発表。
2018年8月2日
オープンキャンパスにて研究室公開を行いました。
2018年8月1日
矢田拓夢がThe 13th Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO-PR 2018), Hong Kong Convention and Exhibition Centreにて発表。
2018年7月26日
下村和彦が電気学会パワー光源及び応用システム研究会(ルーテル市谷センター, 東京)にて発表。
2018年6月19日
P. Gandhi KallarasanがEMN Vienna Meeting 2018 (Vienna, Austria) にて招待講演発表。
2018年6月5,7,8日
善村聡至、杉山滉一、内田和希、石田勝晃が19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)(Nara Kasugano International Forum, Nara, Japan)にて発表 。
下村和彦が2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (The University of Tokyo, Tokyo, Japan)にて招待講演発表。相川政輝 、早坂夏樹が同ワークショップにて発表。
2017年5月16日
P. Gandhi KallarasanがConference on Lasers and Electro-Optics 2017 (San Jose, CA, USA)にて発表。
シリコンプラットフォームへのIII-V族半導体集積化に関する論文が掲載されました。この論文はJJAPのSPOTLIGHT論文に選定されました。
K. Matsumoto, J. Kishikawa, T. Nishiyama, Y. Onuki, and K. Shimomura,
Jpn. J. Appl. Phys., vol.55, no.11, p.112201, 2016. http://doi.org/10.7567/JJAP.55.112201
2016年9月15日
The 25th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2016), Kobe Meriken Park Oriental Hotel, Japanにて口頭講演発表 。
2016年9月14,16日
G. Kallarasan、朝倉啓太、大貫雄也、鎌田直樹、高野紘平が第77回応用物理学学術講演会(朱鷺メッセ, 新潟)にて発表。
InP/Si基板上GaInAsPレーザの室温発振に関する論文が掲載されました。
K. Matsumoto, J. Kishikawa, T. Nishiyama, T. Kanke, Y. Onuki, and K. Shimomura,
Applied Physics Express, 9, 062701, 2016. http://doi.org/10.7567/APEX.9.062701
2016年5月17日
下村和彦がEMN Meeting on Nanowires, Amsterdam, NetherlandsにおいてKeynote Speechを行いました。
松本恵一、吉川翔平 40th International Symposium on Compound Semiconductors(神戸)にて発表。
Zhang Xinxin、山内雅之 25th International Conference on Indium Phosphide and
Related Materials(神戸)にて発表。
2013年5月
異種基板上結晶成長に関する論文が掲載されました。
K. Matsumoto et.al., J. Crystal Growth, vol.370, pp.133-135. May 2013.
2013年5月
異種基板上結晶成長、ナノワイヤに関する論文が掲載されました。
K. Matsumoto et.al., Phys. Staus Solidi C., vol.10, no.5, pp. 782-785,
2013. DOI 10.1002/pssc.201200592.
S. Murakami et.al., Phys. Staus Solidi C., vol.10, no.5, pp. 761-764, 2013.
DOI 10.1002/pssc.201200593.
村上新、松本恵一 39th International Symposium on Compound Semiconductors(Santa Barbara, CA, USA)にて発表。
2012年7月
波長スイッチの論文が掲載されました。
T.Makino et.al., IEICE Trans.Electron.,vol.E95-C, no.7, p.1258, July 2012.
S.Yanagi et.al., IEICE Trans.Electron.,vol.E95-C, no.7, p.1265, July 2012.
2012年5月27日
オールソフィアンズフェスティバルにて研究内容の展示を行いました。
2012年5月21,23日
岩根優人、松本恵一 ICMOVPE国際会議発表(釜山、韓国)
2012年5月18日
山内雅之 電子情報通信学会光エレクトロニクス研究会発表
2012年5月11日
サイトをリニューアルオープンしました。
2012年3月
岩根優人、三枝知充、松本恵一、村上 新、柳 智史、吉岡政洋 応用物理学会発表(早稲田大学)
2011年10月
下村和彦 1st Annual World Congress of Nano-S&T-2011 国際会議発表 (大連、中国)
2011年8月
三枝知充、柳 智史、山﨑勇輝 応用物理学会発表(山形大学)
2011年7月
青柳孝典、牧野辰則、柳智史 16th Opto-Electronics and Communications Conference (OECC 2011)台湾高雄発表
2011年5月29日
オールソフィアンズフェスティバルSLO「産学技術交流会」にてパネル展示
2011年5月
岩根優人 38th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS 2011), 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM 2011)ベルリン発表
J.Crystal Growth論文2件掲載(M. Akaishi, T. Okawa, Y. Saito, and K. Shimomura, vol.310, issue 23; Y. Saito, T. Okawa, M. Akaishi, and K. Shimomura, vol.310, issue 23)
2008年10月
CEATEC JAPAN 2008 産学交流パビリオンにて、上智大学電気情報系4研究室の展示を行いました(幕張メッセ)
2008年9月
赤石昌隆、清水優、杉尾崇行応用物理学会発表
2008年8月
2008 International Nano-Optoelectronics Workshop (iNOW 2008)4件発表(K.Shimomura, M.Akaishi, H.Iwasaki, T.Sugio)
2008年8月
IEEE Journal Selected Topics in Quantum Electronics 論文掲載 (M.Akaishi, T.Okawa, Y.Saito and K.Shimomura)
2008年7月
IEICE Trans. Electron.論文掲載(Y. Shimizu, S. Kawabe, H. Iwasaki, T. Sugio, and K. Shimomura, vol.E91-C, no.7)