下村研究室は光集積回路実現に関する研究を行っています。　　　▷English

原著論文

• G.K. Periyanayagam and K. Shimomura, "Gain coefficient comparison between Silicon and InP laser diode substrate", Physica Status Solidi A, 2300677, Feb. 2024.
• G.K. Perlyanayagam and K. Shimomura, "Numerical analysis and lasing characteristics of GaInAsP double heterostructure lasers on InP/Si substrate", J. Electronic Materials, J. Electronic Materials, vol.51, pp. 5110-5119, DOI: 10.1007/s11664-022-09737-x, June 23, 2022.
• X. Han, K. Tsushima, T. Shirai, T. Ishizaki, and K. Shimomura, "Characteristics of multi-quantum-well laser diodes with surface electrode structure directly bonded to InP template on SiO2/Si substrate", Physica Status Solidi A, 2000767, Mar. 2021.
• S. Yoshimura, K. Takano, K. Ishida and K. Shimomura, "Fabrication of star-shaped InP/GaInAs core-multishell nanowires by self-catalytic VLS mode", J. Crystal Growth, vol. 509, pp.66-70, Mar. 1, 2019.
• H. Sugiyama, K. Uchida, X. Han, P. Gandhi Kallarasan, M.Aikawa, N. Hayasaka, K. Shimomura, "MOVPE grown GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW laser diode on directly- bonded InP/Si substrate", J. Crystal Growth, vol. 507, pp. 93-97, Feb. 1, 2019.
• M. Aikawa, Y. Onuki, N. Hayasaka, T. Nishiyama, N. Kamada, X. Han, P. Gandhi Kallarasan, K. Uchida, H. Sugiyama and K. Shimomura, "Bonding temperature dependence of GaInAsP/InP laser diode grown on hydrophilically directly bonded InP/Si substrate", Jpn. J. Appl. Phys., vol. 57, no. 2S1, 02BB04, pp.02BB04-1-6, Feb. 2018.
• P. Gandhi Kallarasan, T. Nishiyama, N. Kamada, Y. Onuki, and K. Shimomura, "Lasing characteristics of 1.2 μm GaInAsP LD on InP/Si substrate", Physica Status Solidi A, 1700357, pp.1-7, Jan. 10, 2018.
• K. Matsumoto, J. Kishikawa, T. Nishiyama, Y. Onuki, and K. Shimomura, "Novel integration method for III-V semiconductor devices on silicon platform", Jpn. J. Appl. Phys., vol.55, no.11, pp.112201-1 - 112201-7, Nov. 2016.
• K. Matsumoto, J. Kishikawa, T. Nishiyama, T. Kanke, Y. Onuki, and K. Shimomura, "Room-temperature operation of GaInAsP lasers epitaxially grown on wafer-bonded InP/Si substrate", Applied Physics Express, vol. 9, 062701, May 2016.
• T. Ogino, K. Asakura, K. Takano, T. Waho, and K. Shimomura, "Emission wavelength control of self-catalytic InP/GaInAs/InP core-multishell nanowire on InP substrate grown by MOVPE", Jpn. J. Appl. Phys., vol.55, no.3, 031201, Mar. 2016.
• T. Ogino, M.Yamauchi, Y.Yamamoto, K.Shimomura, and T.Waho, "Preheating temperature and growth temperature dependence of InP nanowires grown by self-catalytic VLS mode on InP substrate", J. Crystal Growth, vol. 414, pp.161-166, Jan. 2015.
• K. Matsumoto, X.Zhang, J.Kishikawa, and K.Shimomura, "Current-injected light emission of epitaxially grown InAs/InP quantum dots on directly bonded InP/Si substrate", Jpn. J. Appl. Phys., vol. 54, 030208, Jan. 2015.
• K. Matsumoto, R. Kobie, and K. Shimomura, "Thermal treatment for preventing void formation on directly-bonded InP/Si interface", Jpn. J. Appl. Phys., vol.53, no.11, 116502, Oct. 2014.
• S. Yoshikawa, M. Yamauchi, Y. Yamamoto, and K. Shimomura, "Current injected spectrum change in flat-topped InAs/InP QDs arrayed waveguide LED with different QD heights", Phys. Staus Solidi C, vol.10, no.11, pp.1438-1441, Nov. 2013.
• K. Matsumoto, X. Zhang, Y. Kanaya, and K. Shimomura, "Selective MOVPE growth of GaInAs/InP MQW on directly-bonded InP/Si substrate", Phys. Staus Solidi C, vol.10, no.11, pp.1357-1360, Nov. 2013.
• K. Matsumoto, T. Makino, K. Kimura, K. Shimomura, "Extremely improved InP template and GaInAsP system growth on directly- bonded InP/SiO2-Si and InP/glass substrate," Phys. Staus Solidi C, vol.10, no.5, pp. 782-785, May 2013.
• S. Murakami , H. Funayama , K. Shimomura and T. Waho, "Au-assisted growth of InAs nanowires on GaAs(111)B, GaAs(100), InP(111)B, InP(100) by MOVPE," Phys. Staus Solidi C, vol.10, no.5, pp. 761-764, May 2013.
• K. Matsumoto, T. Makino, K. Kimura, and K. Shimomura, "Growth of GaInAs/InP MQW using MOVPE on directly-bonded InP/Si substrate," J. Crystal Growth, vol.370, pp.133-135, May 2013.
• S. Yoshikawa, T. Saegusa, Y. Iwane, M. Yamauchi and K. Shimomura, "Flat-topped emission with spectral width above 500 nm from InAs/InP QD waveguide array light-emitting diode", Applied Physics Express, vol.5, 092103, Sept. 2012.
• S. Yanagi, Y. Murakami, Y. Yamazaki and K. Shimomura, "Switching characteristics in variable index arrayed waveguides using thin film heater", IEICE Trans. Electron., vol.E95-C, no. 7, pp. 1265-1271, July 2012.
• T. Makino, T. Tanimura, S. Yanagi, and K. Shimomura, "Numerical calculation of wavelength demultiplexd light switching using variable index arrayed waveguide", IEICE Trans. Electron., vol.E95-C, no. 7, pp. 1258-1264, July 2012.
• Y. Iwane, F. Kawashima, M. Hirooka, T. Saegusa, and K. Shimomura, "InAs/InP QDs grown by selective MOVPE growth using double-cap procedure for broadband LED improved p-cladding layer", Phys. Staus Solidi C, vol.9, no.2, pp.210-213, Feb. 2012.

国際会議

• L. Zhao, K. Agata, R. Yada, J. Zhang, and K. Shimomura, "Numerical simulation of waveguide propagation loss on directly bonded InP/Si substrate", Compound Semiconductor Week 2023 (CSW 2023), Jeju, Korea, WeA3-5, May 31, 2023.
• R. Yada, K. Agata, L. Zhao, S. Ito, S. Aoki, and K. Simomura, "Well layer thickness dependence on threshold current of SCH-MQW laser diode grown on InP/Si substrate", 28th International Semiconductor Laser Conference, Kunibiki Messe, Japan, TuP-25, Oct. 18, 2022.
• L. Zhao, M. Sato, K. Shibukawa, S. Ito, K. Agata, and K. Shimomura, "Annealing sequence dependence of directly bonded InP/Si substrate for GaInAsP LDs on silicon platform", Conference on Lasers and Electro-Optics PacificRim 2022, Sapporo, Japan, CWP12B-02, Aug. 3, 2022.
• X. Han, K. Tsushima, M. Sato, T. Shirai, M. Sato, S. Ito, T. Ishizaki, K. Shibukawa, K. Agata and K. Shimomura, "Buried hetero structure laser diode on directly bonded InP/Si substrate", 27th International Semiconductor Laser Conference, Potsdam, Germany, WP1.13, Oct. 13, 2021.
• X. Han, K. Tsushima, T. Shirai, M. Sato, S. Ito, T. Ishizaki, K. Shibukawa, K. Agata, M. Kotani and K. Shimomura, "MQW laser with surface electrodes on directly bonded InP/SiO2/Si substrates", 26th Optoelectronics and Communications Conference, Hong Kong, China, July 6, 2021.
• K. Kuwahara, R. Ishihara, Y. Katori, and K. Shimomura, "Selective regrown core-shell nanowires using self-catalytic VLS mode", 26th Optoelectronics and Communications Conference, Hong Kong, China, July 4, 2021.
• T. Shirai, X. Han, T. Ishizaki, K. Tsushima, M. Matsuura, K. Shibukawa, K. Fujiwara, M. Sato, and K. Shimomura, "Double capped InAs Quantum Dots with strain compensation layer grown on InP/Si substrate", 25th Optoelectronics and Communications Conference, Taipei, Taiwan, VP80, Oct. 7, 2020.
• K. Shibukawa, X. Han, T. Ishizaki, K. Tsushima, T. Shirai, M. Matsuura, K. Fujiwara, M. Sato, and K. Shimomura, "Selective MOVPE growth of GAInAsP MQW structure on wafer bonded InP/Si and InP/SiO2/Si substrate", 25th Optoelectronics and Communications Conference, Taipei, Taiwan, VP78, Oct. 7, 2020.
• K. Tsushima, T. Shirai, K. Fujiwara, X. Han, M. Matsuura, M. Sato, T. Ishizaki, K. Shibukawa, and K. Shimomura, "Buried heterostructure laser diodes using directly bonded InP thin film on silicon substrate", 25th Optoelectronics and Communications Conference, Taipei, Taiwan, T4-3.5, Oct. 7, 2020.
• R. Ishihara, K. Kuwahara, S. Yoshimura, K. Ishida, and K. Shimomura, "Comparison of continuous growth and regrowth InP / GaInAs core-shell nanowires using self-catalytic VLS mode", Nanowire Week 2019, Pisa, Tuscany, Italy, P2.30, Sept. 24, 2019.
• K. Kuwahara, R. Ishihara, K. Ishida, S. Yoshimura, and K. Shimomura, "Compositional analysis of InP/GaInAs heterostructure nanowires grown by self-catalytic VLS mode using MOVPE", Nanowire Week 2019, Pisa, Tuscany, Italy, P2.10, Sept. 24, 2019.
• T. Ishizaki, K. Uchida, H. Sugiyama, X. Han, N. Hayasaka, M. Aikawa, M. Matsuura, K. Tsushima, T. Shirai, and K. Shimomura, "Lasing characteristics of GaInAsP SCH-MQW laser diode on directly-bonded InP/Si substrate", 24th OptoElectronics and Communications Conference (OECC/PSC 2019), Fukuoka International Congress Center, Fukuoka, Japan, WP4-D7, July 10, 2019.
• T. Shirai, X. Han, M. Matsuura, T. Ishizaki, K. Tsushima, and K. Shimomura, "Template thickness dependence of GaInAsP MQW laser diode grown on directly bonded InP/Si substrate", 24th OptoElectronics and Communications Conference (OECC/PSC 2019), Fukuoka International Congress Center, Fukuoka, Japan, WP4-D6, July 10, 2019.
• K. Tsushima, K. Uchida, X. Han, H. Sugiyama, M. Aikawa, N. Hayasaka, M. Matsuura, T. Ishizaki, T. Shirai, and K. Shimomura, "Lasing characteristics of GaInAsP SCH MQW high-mesa laser on silicon substrate", 24th OptoElectronics and Communications Conference (OECC/PSC 2019), Fukuoka International Congress Center, Fukuoka, Japan, WP4-D5, July 10, 2019.
• P. Gandhi Kallarasan, K. Uchida, H. Sugiyama, X. Han, N. Hayasaka, M. Aikawa, H. Yada and K. Shimomura, "1.5 um GaInAsP high mesa laser diode on directly bonded InP/Si substrate", 26th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2018), Santa Fe, New Mexico, USA, TuP22, Sept. 18, 2018.
• H. Yada, N. Kamada, Y. Onuki, X. Han, P. Gandhi Kallarasan, K. Uchida, H. Sugiyama, M. Aikawa, N. Hayasaka, and K. Shimomura, "Successful fabrication of GaInAsP ridge waveguide laser　diode using hydrophilic bonded InP/Si substrate", The 13th Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO-PR 2018), Hong Kong Convention and Exhibition Centre, W3A.117, Aug. 1, 2018.
• P. Gandhi Kallarasan and K. Shimomura, "MOVPE growth of GaInAsP system on directly bonded InP/Si substrate," EMN Vienna Meeting 2018, Vienna, Austria, A12 (Invited talk), June 19, 2018.
• S. Yoshimura, K. Takano, K. Ishida, and K. Shimomura, "Fabrication of star shaped InP/GaInAs core-multi shell nanowires by self-catalytic VLS mode", 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX), Nara Kasugano International Forum, Nara, Japan, 8A-2.6, June 8, 2018.
• K. Uchida, N. Kamada, Y. Onuki, X. Han, P. Gandhi Kallarasan, H. Sugiyama, M. Aikawa, N. Hayasaka, and K. Shimomura, "Lasing characteristics of GaInAsP/InP ridge waveguide laser diode grown on InP/Si substrate", 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX), Nara Kasugano International Forum, Nara, Japan, P2-33, June 7, 2018.
• K. Ishida, K. Takano, S. Yoshimura, and K. Shimomura, "MOVPE growth of InP/GaInAs heterostructure nanowires by self-catalytic VLS mode", 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX), Nara Kasugano International Forum, Nara, Japan, P1-50, June 5, 2018.
• H. Sugiyama, N. Kamada, Y. Onuki, X. Han, P. Gandhi Kallarasan, M. Aikawa, N. Hayasaka, K. Uchida, and K. Shimomura, "MOVPE grown GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW laser diode on directly-bonded InP/Si substrate", 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX), Nara Kasugano International Forum, Nara, Japan, 5C-3.3, June 5, 2018.
• P. Gandhi Kallarasan, N. Kamada, Y. Onuki, K. Uchida, H. Sugiyama, X. Han, N. Hayasaka, M. Aikawa, and K. Shimomura, "1.5 μm GaInAsP stripe laser comparison between InP substrate and directly bonded InP/Si substrate", Conference on Lasers and Electro-Optics 2018, San Jose Convention Center, San Jose, CA, USA, JTu2A.12, May 15, 2018.
• K. Shimomura, "Hybrid integration of GaInAsP LD on silicon platform by epitaxial growth using directly bonded InP/Si substrate", SPIE Photonics Europe 2018, Strasbourg Convention & Exhibition Centre, Strasbourg, France, Paper 10682-24 (Invited talk), Apr. 25, 2018.
• K. Uchida, T. Nishiyama, N. Kamada, Y. Onuki, X. Han, Gandhi Kallarasan P., H. Sugiyama, M. Aikawa, N. Hayasaka, and K. Shimomura, "Lasing characteristics of GaInAsP stripe laser integrated on InP/Si substrate", The 22nd OptoElectronics and Communications Conference, Sands Expo and Convention Centre, Singapore, P3-123, Aug. 3, 2017.
• H. Sugiyama, T. Nishiyama, N. Kamada, Y. Onuki, X. Han, Gandhi Kallarasan P., M. Aikawa, N. Hayasaka, K. Uchida, and K. Shimomura, "Low threshold current of GaInAsP laser grown on directly bonded InP/Si substrate", The 22nd OptoElectronics and Communications Conference, Sands Expo and Convention Centre, Singapore, P3-121, Aug. 3, 2017.
• K. Takano, K. Asakura, S. Yoshimura, K. Ishida, K. Shimomura, "Photoluminescence characteristics of InP/GaInAs heterostructure nanowires grown by self-catalytic VLS mode", 10th Nanowire Growth Workshop, 9th NANOWIRES, Lund, Sweden, P2.12, May 30, 2017.
• S. Yoshimura, K. Asakura, K. Takano, K. Ishida, K. Shimomura, "Regrown InP/GaInAs core-shell nanowires by self-catalytic VLS mode", 10th Nanowire Growth Workshop, 9th NANOWIRES, Lund, Sweden, P1.12, May 29, 2017.
• K. Shimomura, "Novel integration method for III–V semiconductor devices on silicon platform based on direct bonding and MOVPE growth," 2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, The University of Tokyo, Tokyo, Japan, 17GO-08 (Invited), May 17, 2017.
• N. Hayasaka, T. Nishiyama, Y. Onuki, N. Kamada, X. Han, Gandhi Kallarasan P., K. Uchida, H. Sugiyama, M. Aikawa, and K. Shimomura, "Lasing characteristics of MOVPE grown 1.5µm GaInAsP LD using directly bonded InP/Si substrate", 2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, The University of Tokyo, Tokyo, Japan, 17SP-14, May 17, 2017.
• M. Aikawa, T. Nishiyama, Y. Onuki, N. Kamada, X. Han, Gandhi Kallarasan P., K. Uchida, H. Sugiyama, N. Hayasaka, and K. Shimomura, "Bonding temperature dependence of GaInAsP/InP wafer grown on directly bonded InP/Si substrate", 2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, The University of Tokyo, Tokyo, Japan, 17SP-13, May 17, 2017.
• Gandhi Kallarasan P., T. Nishiyama, N. Kamada, Y. Onuki, and K. Shimomura, "1.5μm laser diode on InP/Si substrate by epitaxial growth using direct bonding method", Conference on Lasers and Electro-Optics 2017, San Jose, CA, USA, JTu5A.108, May 16, 2017.
• Y. Onuki, T. Nishiyama, N. Kamada, X. Han, Gandhi Kallarasan P., M. Aikawa, K. Uchida, H. Sugiyama, N. Hayasaka, and K. Shimomura, "Annealing temperature dependence of GaInAsP LD characteristics on InP/Si substrate fabricated by wafer direct bonding", Compound Semiconductor Week 2017, Berlin, Germany, P1.37, May 15, 2017.
• N. Kamada, T. Nishiyama, Y. Onuki, X. Han, Gandhi Kallarasan P., M. Aikawa, K. Uchida, H. Sugiyama, N. Hayasaka, and K. Shimomura, "Lasing characteristics and temperature dependence of 1.5µm GaInAsP laser diode grown on directly bonded InP/Si substrate", Compound Semiconductor Week 2017, Berlin, Germany, P1.20, May 15, 2017.
• T. Nishiyama, K. Matsumoto, J. Kishikawa, Y. Onuki, N. Kamada, and K. Shimomura, "Lasing characteristics of GaInAsP laser diode grown on directly bonded InP/Si substrate", The 25th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2016), Kobe Meriken Park Oriental Hotel, Japan, ThB5, Sept. 15, 2016.
• N. Kamada, T. Sukigara, K. Matsumoto, J. Kishikawa, T. Nishiyama, Y. Onuki and K. Shimomura, "S-K Growth of InAs quantum dots on directly-bonded InP/Si substrate using MOVPE", 21st Optoelectonics and Communications Conference (OECC/PS 2016), TOKI Messe Niigata Convention Center, Japan, WA2-76, July 6, 2016.
• K. Takano, T. Ogino, K. Asakura, T. Waho, and K. Shimomura, "Optical characteristics of InP/GaInAs core-multishell NWs grown by self-catalytic VLS mode ", 21st Optoelectonics and Communications Conference (OECC/PS 2016), TOKI Messe Niigata Convention Center, Japan, WA2-75, July 6, 2016.
• T. Nishiyama, K. Matsumoto, J. Kishikawa, T. Sukigara, Y. Onuki, N. Kamada, T. Kanke, and K. Shimomura, "Low temperature lasing characteristics of GaInAsP double-hetero laser integrated on InP/Si substrate using direct wafer bonding", 21st Optoelectonics and Communications Conference (OECC/PS 2016), TOKI Messe Niigata Convention Center, Japan, TuD1-2, July 5, 2016.
• K. Asakura, T. Ogino, K. Takano, T. Waho, and K. Shimomura, "Electrical characteristic of n-InP/ i-GaInAs/ p-InP core-multishell NWs grown by self-catalytic VLS mode", The 2016 Compound Semiconductor Week (CSW2016), Toyama International Conference Center, Toyama, MoD4-5, June 27, 2016.
• K. Shimomura, "Self-catalytic InP/GaInAs/InP core-multishell nanowire grown by MOVPE", EMN Meeting on Nanowires, Amsterdam, Netherlands, A20 (Keynote Speech), May 20, 2016.
• T. Sukigara, Y. Yamamoto, T. Nishiyama, and K. Shimomura, "Cavity length dependence on lasing characteristics of double-capped QDs laser", 11th Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO-PR 2015), Busan, Korea, 27P-82, Aug. 27, 2015.
• T. Ogino, K. Asakura, T. Waho, and K. Shimomura, "PL emission of InP/GaInAs/InP core-multishell NWs grown by self-catalytic VLS mode", 11th Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO-PR 2015), Busan, Korea, 27P-48, Aug. 27, 2015.
• K. Matsumoto, Y. Kanaya, J. Kishikawa, and K. Shimomura, "Characteristics of film InP layer and Si substrate bonded interface bonded by wafer direct bonding", 11th Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO-PR 2015), Busan, Korea, 25J3-3, Aug. 25, 2015.
• K. Matsumoto, Y. Kanaya, J. Kishikawa, Y. Yamamoto, T. Sukigara, T. Nishiyama, and K. Shimomura, "Epitaxial Grown GaInAsP-InP laser on wafer bonded InP/Si substrate", 42nd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2015), Santa Barbara, CA, USA, O6.6, July 1, 2015.
• K. Matsumoto, M. Takasu, Y. Kanaya, J. Kishikawa, and K. Shimomura, "GaInAs/InP MQW light-emitting diode fabricated on wafer bonded InP/Quartz substrate", Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2015), San Jose, CA, USA, SF2G.5, May 15, 2015.
• K. Matsumoto, Y. Kanaya, J. Kishikawa and K. Shimomura, "Epitaxial growth of GaInAsP system on wafer-bonded InP/Si substrate", 2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2014), Tokyo, Japan, July 16, 2014.
• T. Ogino, M.Yamauchi, Y.Yamamoto, K.Shimomura, and T.Waho, "Growth temperature and pre-heating temperature dependence of InP nanowires grown by self-catalytic VLS mode", 17th International Conference on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (ICMOVPE XVII), Lausanne, Switzerland, Wed-Poster-2-32, July 16, 2014.
• K. Matsumoto, Y. Kanaya, J. Kishikawa and K. Shimomura, "Selective MOVPE grown GaInAs/InP MQW demonstrated on directly-bonded InP/SiO2-Si, Glass and Quartz substrate", 17th International Conference on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (ICMOVPE XVII), Lausanne, Switzerland, Wed-Oral-3-6, July 16, 2014.
• X. Zhang, K. Matsumoto, Y. Kanaya and K. Shimomura, "First demonstration of directly epitaxial grown QDs LED on wafer bonded InP/Si substrate", 41st International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2014), Montpellier, France, Tu-D1-3, May 13, 2014.
• T. Sukigara, S. Yoshikawa, M. Yamauchi, Y. Yamamoto, and K. Shimomura, "EL spectrum with various core structure in broadband InAs QDs LED", 41st International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2014), Montpellier, France, P60, May 12, 2014.
• K. Matsumoto, X. Zhang, Y. Kanaya, and K. Shimomura, "Selective MOVPE growth of GaInAs/InP MQW on directly-bonded InP/Si substrate," 40th International Symposium on Compound Semiconductors, Kobe, Japan, WeB2-3, May 22, 2013.
• S. Yoshikawa, T. Saegusa, Y. Iwane, M. Yamauchi, and K. Shimomura, "Broadband and flat-topped spectrum of InAs/InP QDs arrayed waveguide LED," 40th International Symposium on Compound Semiconductors, Kobe, Japan, TuC1-6, May 21, 2013.
• M. Yamauchi, Y. Iwane, S. Yoshikawa, Y. Yamamoto, and K. Shimomura, "Wide energy level control of InAs QDs using double-capping procedure by MOVPE," 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Kobe, Japan, MoPI-5, May 20, 2013.
• K. Matsumoto, X. Zhang, Y. Kanaya, and K. Shimomura, "MOVPE growth of InAs/InP QDs on directlybonded InP/Si substrate," 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Kobe, Japan, MoD4-2, May 20, 2013.
• K. Matsumoto , T. Makino , K. Kimura and K. Shimomura, "GaInAsP system growth on InP/SiO2-Si and SiO2 templates fabricated by direct wafer bonding", 39th International Symposium on Compound Semiconductors, Santa Barbara, CA, USA, Mo-P.13, Aug. 27, 2012.
• S. Murakami , A. Funayama , K. Shimomura and T. Waho, "Au-assisted growth of InAs nanowires on GaAs(111)B,GaAs(100),InP(111)B,InP(100) by MOVPE", 39th International Symposium on Compound Semiconductors, Santa Barbara, CA, USA, Mo-1A.3, Aug. 27, 2012.
• Y.Iwane, T.Saegusa, K.Yoshida, M.Yamauchi, S.Yoshikawa, and K.Shimomura, "V/III ratio of Ga0.7In0.3As buffer layer dependence on InAs/InP QDs structure", 16th International Conferenece on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI), Busan, Korea, WeP049, May 23, 2012.
• K. Matsumoto, T. Makino, K. Kimura, and K. Shimomura, "GaInAs/InP MOVPE growth on directly bonded InP/Si substrate", 16th International Conferenece on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI), Busan, Korea, MoB2-4, May 21, 2012.

研究会

• 相川政輝, 大貫雄也, 早坂夏樹, 鎌田直樹, 韓旭, Gandhi Kallarasan P., 内田和希, 杉山滉一, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザの貼付アニール温度依存性」, 電子情報通信学会技術研究報告, 弘前文化センター, 青森, LQE2017-29, 平成29年9月1日.
• 下村和彦, 「InP薄膜-シリコン基板への半導体結晶成長を用いた光デバイス集積化技術の検討」, 第4回集積光デバイスと応用技術研究会, NTT厚木研究開発センタ, 神奈川, IPDA15-29　(招待講演), 平成28年8月5日.
• 西山哲央, 松本恵一, 岸川純也, 大貫雄也, 鎌田直樹, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板を用いたGaInAsPレーザの試作」, 電子情報通信学会技術研究報告, 機械振興会館, 東京, OPE2016-12, 平成28年6月17日.
• 下村和彦,　松本恵一, 「InP/Si直接貼付基板上へのInP系光デバイス集積化に関する研究」, 第23回シリコンフォトニクス研究会 (招待講演),　石川県政記念しいのき迎賓館, 金沢, 平成27年12月10日
• 松本恵一, 金谷佳則, 岸川純也, 下村和彦, 「直接貼付InP層を用いた異種基板上III-V族半導体発光デバイスの集積」, 電子情報通信学会技術研究報告, 機械振興会館, 東京, 平成27年6月19日
• 下村和彦, 「InAs量子ドットLEDの発光波長制御に関する検討」, 映像情報メディア学会情報ディスプレイ研究会(招待講演),　 vol. 39, no. 12, pp.15-20, 平成27年3月13日
• 下村和彦, 「選択成長とダブルキャップ法を用いたアレイ導波路型InAs 量子ドットLEDの広帯域化」(招待講演), 応用物理学会,応用電子物性分科会　研究例会, 首都大学東京秋葉原サテライトキャンパス, 平成26年7月30日.
• 松本恵一, 金谷佳則, 岸川純也, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上量子ドットLEDからのEL発光」, 電子情報通信学会技術研究報告, 機械振興会館, 東京, OPE2014-15, 平成26年6月20日
• 松本 恵一, 張 きんきん, 金谷 佳則, 下村 和彦, 「直接貼付InPテンプレートを用いた異種基板上MOVPE結晶成長」, 電子情報通信学会技術研究報告, OPE2013-9, 平成25年6月21日
• 山内雅之，三枝知充，岩根優人， 吉川翔平， 下村和彦， 「選択成長InAs量子ドットアレイLEDのスペクトル解析」, 電子情報通信学会技術研究報告, OPE2012-8, 平成24年5月18日

国内学会

• Junyu Zhang, G.K.Periyanayagam, 趙亮, 下村和彦, 「InP/Si基板上GaInAsP半導体レーザの利得特性の測定」, 第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学世田谷キャンパス+オンライン, 24a-P07-3, 令和6年3月24日.
• 趙 亮, G.K.Periyanayagam, Zhang Junyu, 矢田涼介, 下村和彦, 「ガスアウトチャネルを有する直接貼付InP/Si基板上GaInAsP系半導体レーザの発振特性（Ⅱ）」, 第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学世田谷キャンパス+オンライン, 22a-12A-6, 令和6年3月22日.
• 黒井瑞生, 趙 亮, 下村和彦, 「InP/Si基板上SCH - MQW レーザの散乱損失を考慮した低しきい値構造の検討」, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本市国際交流会館, 22a-C402-2, 令和5年9月22日.
• 趙 亮, G.K. Periyanayagam, Zhang Junyu, 矢田涼介, 下村和彦, 「ガスアウトチャネルを有する直接貼付InP/Si基板上GaInAsP系半導体レーザの発振特性」, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本市国際交流会館, 22a-C402-1, 令和5年9月22日.
• 趙 亮, 阿形幸二, 伊藤慎吾, 矢田涼介, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板のボイドによる導波損失の数値計算(Ⅱ)」, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学, 四谷キャンパス+オンライン, 16p-B409-7, 2023年3月16日.
• 香取祐太, 陳 琛, 下村和彦, 「自己触媒VLS法を用いた再成長InPコアシェルナノワイヤのフォトルミネッセンス特性」, 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス・オンライン, 21p-P08-1, 令和4年9月21日.
• 趙 亮, 阿形幸二, 伊藤慎吾，矢田涼介，下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板のボイドによる導波損失の数値計算」, 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス・オンライン, 21a-C301-4, 令和4年9月21日.
• 矢田涼介, 阿形幸二, 趙亮，伊藤慎吾，青木彩絵, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上GaInAsP SCH-MQWレーザの井戸層厚と閾値電流密度に関する検討」, 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス・オンライン, 21a-C301-3, 令和4年9月21日.
• 陳 しん, 桑原圭, 香取祐太, 下村和彦, 「GaAs基板上自己触媒 VLS法による GaAsナノワイヤの成長」, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 25p-P10-2, 令和4年3月25日.
• 青木彩絵, 澁川航大, 韓 旭, 佐藤元就, 伊藤慎吾, 阿形幸二, 矢田涼介, 下村和彦, 「直接貼付 InP/Si基板上 GaInAsP SCH-MQW埋込レーザの発振特性改善」, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 25p-P09-5, 令和4年3月25日.
• 趙 亮, 佐藤元就, 澁川航大, 伊藤慎吾, 阿形幸二, 下村和彦, 「直接貼付 InP/Si基板の加熱処理シーケンスの依存性について」, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 25p-P09-4, 令和4年3月25日.
• 阿形幸二, 渋川航大, 趙 亮, 佐藤元就, 伊藤慎吾, 下村和彦, 「直接貼付 InP/Si基板上 GaInAsP/GaInAsP MQWレーザの歪量依存性の検討Ⅱ」, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 25p-P09-3, 令和4年3月25日.
• 澁川航大，韓旭，対馬幸樹，石崎隆浩，白井琢人，佐藤元就，伊藤慎吾, 阿形幸二, 小谷桃子, 青木彩絵, 矢田涼介, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上GaInAsP SCH-MQW埋込レーザの発振特性改善」, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 10p-N103-6, 令和3年9月10日.
• 伊藤慎吾, 韓旭, 澁川航大, 対馬幸樹, 石崎隆浩, 白井琢人, 佐藤元就, 阿形幸二, 小谷桃子, 下村和彦, 「直接貼付 InP/SiO2/Si 基板上 GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW レーザの電界分布特性」, 第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン開催, 17p-P02-3, 令和3年3月17日.
• 阿形幸二, 石崎隆浩, 韓旭, 対馬幸樹, 白井琢人, 佐藤元就, 渋川航大, 伊藤慎吾,下村和彦, 「直接貼付 InP/Si 基板上 GaInAsP/GaInAsP MQW レーザの歪量依存性の検討」, 第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン開催, 17p-P02-2, 令和3年3月17日.
• 韓旭, 対馬幸樹, 石崎隆浩, 白井琢人, 佐藤元就, 澁川航大, 伊藤慎吾, 阿形幸二, 小谷桃子, 下村和彦, 「直接貼付 InP/SiO2/Si 基板上表面二電極構造 MQW レーザの発振特性」, 第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン開催, 17p-P02-1, 令和3年3月17日.
• 桑原圭, 石原理暉, 香取祐太, 下村和彦, 「InP ナノワイヤの光-電力変換特性のドーピング層厚依存性」, 第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン開催, 17p-Z18-3, 令和3年3月17日.
• 澁川航大, 対馬幸樹, 伊藤慎吾, 石崎隆浩, 阿形幸二, 白井琢人, 佐藤元就, 小谷桃子, 韓旭, 下村和彦, 「選択成長MOVPEによる直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP MQW構造のフォトルミネッセンス特性」, 第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン開催, 16p-Z10-5, 令和3年3月16日.
• 佐藤元就, 韓旭, 白井琢人, 石﨑隆浩, 対馬幸樹, 澁川航大, 小谷桃子, 伊藤慎吾, 阿形幸二, 下村和彦, 「ガスアウトチャネルを用いた直接貼付InP/Si基板のボイド占有率比較」, 第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン開催, 16p-Z10-4, 令和3年3月16日.
• 香取祐太, 石原理暉, 桑原圭,下村和彦, 「SOG を用いた自己触媒 VLS 法 InP ナノワイヤコアへのシェル層再成長」, 第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン開催, 16p-P08-5, 令和3年3月16日.
• 佐藤元就, 韓旭, 松浦正樹, 白井琢人, 石﨑隆浩, 対馬幸樹, 澁川航大, 藤原啓太, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板の加熱処理プロセスの依存性について」, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学　四谷キャンパス, 東京, 14p-PB2-5, 令和2年3月14日.
• 韓旭, 松浦正樹, 対馬幸樹, 石崎隆浩, 白井琢人, 下村和彦, 「直接貼付InP/SiO2/Si基板上表面二電極構造MQW レーザの発振特性」, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学　四谷キャンパス, 東京, 14p-PB2-4, 令和2年3月14日.
• 白井琢人, 韓旭, 石崎隆浩, 対馬幸樹, 佐藤元就, 下村和彦, 「歪み緩衝層を導入したInP/Si基板上InAs量子ドット構造」, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学　四谷キャンパス, 東京, 14p-PB2-3, 令和2年3月14日.
• 石崎隆浩, 韓旭, 松浦正樹, 対馬幸樹, 白井琢人, 藤原啓太, 佐藤元就, 渋川航大, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP歪MQWレーザの発振特性」, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学　四谷キャンパス, 東京, 14p-PB2-2, 令和2年3月14日.
• 対馬幸樹, 韓旭，石崎隆浩，松浦正樹，白井琢人，澁川航大，藤原啓太，佐藤元就，下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW埋込レーザ構造の室温発振特性」, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学　四谷キャンパス, 東京, 14p-PB2-1, 令和2年3月14日.
• 石原理暉，桑原圭，下村 和彦, 「自己触媒VLS法を用いた再成長InPコアシェルナノワイヤの形状変化」, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学　四谷キャンパス, 東京, 14a-PA2-18, 令和2年3月14日.
• 澁川航大, 対馬幸樹, 石崎隆浩，白井琢人，佐藤元就，藤原啓太，韓旭，松浦正樹，下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上選択成長GaInAsP/GaInAsP MQW構造のフォトルミネッセンス特性」, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学　四谷キャンパス, 東京, 14a-B410-7, 令和2年3月14日.
• 桑原圭, 石原理暉, 下村和彦, 「自己触媒VLS法によるInP/GaInAsヘテロ構造ナノワイヤの組成分析」, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学　四谷キャンパス, 東京, 13a-PA5-1, 令和2年3月13日.
• 石原理暉, 善村聡至, 石田勝晃, 桑原圭, 下村 和彦, 「自己触媒VLS 法を用いた連続成長および再成長InP/GaInAsコアマルチシェルナノワイヤの比較」, 第80回応用物理学秋季学術講演会, 北海道大学, 札幌キャンパス, 19p-E317-2, 令和元年9月19日
• 対馬幸樹, 石崎隆浩,　韓旭, 松浦正樹, 白井琢人, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上選択成長GaInAs/InP MQW構造のフォトルミネッセンス解析」, 第80回応用物理学秋季学術講演会, 北海道大学, 札幌キャンパス, 19a-PA3-5, 令和元年9月19日
• 白井琢人, 韓旭, 松浦正樹, 石崎隆浩, 対馬幸樹, 下村和彦, 「InP基板及び直接貼付InP/Si基板上自己形成InAs量子ドットのPL特性について」, 第80回応用物理学秋季学術講演会, 北海道大学, 札幌キャンパス, 19a-PA3-3, 令和元年9月19日
• 石崎隆浩, 韓旭, 松浦正樹, 対馬幸樹, 白井琢人, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW レーザの温度依存性」, 第80回応用物理学秋季学術講演会, 北海道大学, 札幌キャンパス, 19a-PA3-2, 令和元年9月19日
• 韓旭, 松浦正樹, 対馬幸樹, 石崎隆浩, 白井琢人, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上表面二電極構造MQWレーザの発振特性」, 第80回応用物理学秋季学術講演会, 北海道大学, 札幌キャンパス, 19a-PA3-1, 令和元年9月19日
• 石崎隆浩, 杉山滉一, 内田和希, 韓旭, 相川政輝, 早坂夏樹, 松浦正樹, 対馬幸樹, 白井琢人, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW レーザの発振特性」, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学　大岡山キャンパス, 東京, 10p-PB4-6, 平成31年3月10日.
• 対馬幸樹, 杉山滉一, 内田和希, 韓旭, 相川政輝, 早坂夏樹, 松浦正樹, 石崎隆浩, 白井琢人, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQWレーザ構造のX線回折評価」, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学　大岡山キャンパス, 東京, 10p-PB4-5, 平成31年3月10日.
• 石原理暉, 善村聡至, 石田勝晃, 下村和彦, 「自己触媒VLS法による再成長InP/GaInAsコアマルチシェルナノワイヤの作製」, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学　大岡山キャンパス, 東京, 10p-PA1-1, 平成31年3月10日.
• 松浦正樹, 早坂夏樹, 韓旭，相川政輝，内田和希，杉山滉一, 石崎隆浩, 対馬幸樹, 白井琢人,下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板における発振特性のアニール時間依存性」, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学　大岡山キャンパス, 東京, 9a-PB2-9, 平成31年3月9日.
• 韓旭, 内田和希，相川政輝，杉山滉一, 早坂夏樹，松浦正樹, 対馬幸樹, 石崎隆浩, 白井琢人,下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上MQWレーザにおける発振特性のInPテンプレート膜厚依存性」, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学　大岡山キャンパス, 東京, 9a-PB2-7, 平成31年3月9日.
• 白井琢人, 早坂夏樹, 相川政輝, 韓 旭, 杉山滉一, 内田和希, 松浦正樹, 石崎隆浩, 対馬幸樹, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上MQWレーザにおける電流電圧特性のInP膜厚依存性について」, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学　大岡山キャンパス, 東京, 9a-PB2-6, 平成31年3月9日.
• 矢田拓夢, 内田和希, 杉山滉一, 韓旭, 相川政輝, 早坂夏樹, 松浦正樹, 下村和彦, 「ダブルキャップ法を用いたInAs量子ドット構造のPL特性の比較」, 第79回応用物理学秋季学術講演会, 名古屋国際会議場, 名古屋, 20a-PB4-3, 平成30年9月20日.
• 内田和希, 韓 旭, P. Gandhi Kallarasan, 杉山滉一, 相川政輝, 早坂夏樹, 矢田拓夢, 松浦正樹, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上1.5um帯GaInAsPハイメサレーザの室温発振特性」, 第79回応用物理学秋季学術講演会, 名古屋国際会議場, 名古屋, 20a-PB4-2, 平成30年9月20日.
• 善村聡至, 石田勝晃, 石原理暉, 下村和彦, 「自己触媒VLS法によるInP/GaInAsコアマルチシェルナノワイヤの断面形状」, 第79回応用物理学秋季学術講演会, 名古屋国際会議場, 名古屋, 19p-221A-4, 平成30年9月19日.
• 石田勝晃, 善村聡至, 石原理暉, 下村和彦, 「自己触媒VLS法によるInP/GaInAsヘテロ構造ナノワイヤのGaInAs層成長時間の検討」, 第79回応用物理学秋季学術講演会, 名古屋国際会議場, 名古屋, 19p-221A-3, 平成30年9月19日.
• 早坂夏樹, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 内田和希, 杉山滉一, 松浦正樹, 矢田拓夢, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板におけるボイド占有率のアニール時間依存性 (2)」, 第79回応用物理学秋季学術講演会, 名古屋国際会議場, 名古屋, 19p-PA3-2, 平成30年9月19日.
• 松浦正樹, 早坂夏樹, 韓旭，相川政輝，内田和希，杉山滉一, 矢田拓夢,下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板におけるInP薄膜の表面状態の評価」, 第79回応用物理学秋季学術講演会, 名古屋国際会議場, 名古屋, 19p-PA3-1, 平成30年9月19日.
• 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 内田和希，相川政輝，杉山滉一, 早坂夏樹，松浦正樹,矢田拓夢,下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザにおける電気特性のInPテンプレート膜厚依存性」, 第79回応用物理学秋季学術講演会, 名古屋国際会議場, 名古屋, 18p-212A-4, 平成30年9月18日.
• 杉山滉一, 内田和希, 韓 旭, 矢田拓夢, P. Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 早坂夏樹, 松浦正樹, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW レーザ構造の発振特性」, 第79回応用物理学秋季学術講演会, 名古屋国際会議場, 名古屋, 18a-232-10, 平成30年9月18日.
• 石田勝晃, 高野紘平, 善村聡至, 下村和彦, 「自己触媒VLS法によるInP/GaInAsヘテロ構造ナノワイヤの組成分析」, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学　西早稲田キャンパス, 東京, 19p-P8-2, 平成30年3月19日.
• 善村聡至, 高野紘平, 石田勝晃, 下村和彦, 「自己触媒VLS法による星形InP/GaInAsコアマルチシェルナノワイヤの作製及びシェル周期依存性」, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学　西早稲田キャンパス, 東京, 19a-F104-5, 平成30年3月19日.
• P. Gandhi Kallarasan, N. Kamada, Y. Onuki, K. Uchida, H. Sugiyama, X. Han, N. Hayasaka, M. Aikawa, and K. Shimomura, "Lasing characteristics of 1.5μm GaInAsP ridge laser diode on directly bonded inP/Si substrate", 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学　西早稲田キャンパス, 東京, 19a-B203-4, 平成30年3月19日.
• 矢田拓夢, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 内田和希, 杉山滉一, 早坂夏樹, 佐藤栄成, 松浦正樹, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上1.5µm帯GaInAsPストライプレーザの閾値電流密度の共振器長依存性」, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学　西早稲田キャンパス, 東京, 17p-P3-21, 平成30年3月17日.
• 早坂夏樹, 大貫雄也, 鎌田直樹, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 内田和希, 杉山滉一, 松浦正樹, 矢田拓夢, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板におけるボイド占有率のアニール時間依存性」, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学　西早稲田キャンパス, 東京, 17p-P3-20, 平成30年3月17日.
• 内田和希, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 杉山滉一, 相川政輝, 早坂夏樹, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上1.5μm帯GaInAsPリッジレーザの室温発振特性」, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学　西早稲田キャンパス, 東京, 17p-P3-19, 平成30年3月17日.
• 杉山滉一, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 早坂夏樹, 内田和希,下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW レーザ構造の検討」, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学　西早稲田キャンパス, 東京, 17p-P3-18, 平成30年3月17日.
• 下村和彦, 「高機能・高集積光デバイスを支える異種材料貼り合わせ技術」, 2017年ソサイエティ大会, 東京都市大学 世田谷キャンパス, 東京, CI-1-3(招待講演), 平成29年9月13日.
• 善村聡至, 高野紘平, 石田勝晃, 下村和彦, 「自己触媒VLS法による再成長InP/GaInAsコアシェルナノワイヤの作製」, 第78回応用物理学秋季学術講演会, 福岡国際会議場, 福岡, 7a-S44-7, 平成29年9月7日.
• 内田和希, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 杉山滉一, 相川政輝, 早坂夏樹, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上1.5mm帯GaInAsPストライプレーザの室温発振特性」, 第78回応用物理学秋季学術講演会, 福岡国際会議場, 福岡, 7a-A504-8, 平成29年9月7日.
• 杉山滉一, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 早坂夏樹, 内田和希, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザの低閾値構造の検討」, 第78回応用物理学秋季学術講演会, 福岡国際会議場, 福岡, 7a-A504-7, 平成29年9月7日.
• P. Gandhi Kallarasan, N. Kamada, Y. Onuki, K. Uchida, H. Sugiyama, N. Hayasaka, M. Aikawa, and K. Shimomura, "Room temperature lasing operation of 1.5µm GaInAsP LD on InP/Si substrate", 第78回応用物理学秋季学術講演会, 福岡国際会議場, 福岡, 6p-A410-4, 平成29年9月6日.
• 石田勝晃, 高野紘平, 善村聡至, 下村和彦, 「自己触媒VLS法によるInP/GaInAsヘテロ構造ナノワイヤの成長中断時間依存性」, 第78回応用物理学秋季学術講演会, 福岡国際会議場, 福岡, 6a-A404-5, 平成29年9月6日.
• 韓旭, 鎌田直樹, 大貫雄也, P. Gandhi Kallarasan, 内田和希, 相川政輝, 杉山滉一, 早坂夏樹, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上1.5μm帯GaInAsPレーザの電気特性」, 第78回応用物理学秋季学術講演会, 福岡国際会議場, 福岡, 5p-PD1-9, 平成29年9月5日.
• 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 内田和希, 杉山滉一, 早坂夏樹, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上1.5µm帯GaInAsPダブルヘテロレーザ閾値電流密度共振器長依存性」, 第78回応用物理学秋季学術講演会, 福岡国際会議場, 福岡, 5p-PD1-8, 平成29年9月5日.
• 下村和彦, 「シリコン基板上InP系半導体デバイス集積化技術」, 2017年電子情報通信学会総合大会, 名城大学, 天白キャンパス, 名古屋, C-3-20 (招待講演), 平成29年3月24日.
• 善村聡至, 朝倉啓太, 高野紘平, 石田勝晃, 下村和彦, 「自己触媒VLS法によるInP/GaInAsコアシェルナノワイヤのTMI供給量依存性 (Ⅱ)」, 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 神奈川, 16p-P15-12, 平成29年3月16日.
• 石田勝晃, 朝倉啓太, 高野紘平, 善村聡至, 下村和彦, 「自己触媒VLS法によるInP/GaInAsヘテロ構造ナノワイヤのTMI供給量依存性」, 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 神奈川, 16p-P15-11, 平成29年3月16日.
• 大貫雄也, 西山哲央, 鎌田直樹, 韓旭, Periyanayagam Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 内田和希, 杉山滉一, 早坂夏樹, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザの基板加熱温度依存性」, 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 神奈川, 16a-F204-4, 平成29年3月16日.
• 鎌田直樹, 西山哲央, 大貫雄也, 韓旭, Periyanayagam Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 内田和希, 杉山滉一, 早坂夏樹, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上1.5µm帯GaInAsPダブルヘテロレーザの発振特性」, 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 神奈川, 16a-F204-3, 平成29年3月16日.
• P. Gandhi Kallarasan, T. Nishiyama, N. Kamada, Y. Onuki and K. Shimomura, "Fabrication of 1.5μm GaInAsP LD on InP/Si substrate using hydrophilic wafer bonding technique", 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 神奈川, 16a-421-11, 平成29年3月16日.
• 高野紘平, 朝倉啓太, 善村聡至, 石田勝晃, 下村和彦, 「自己触媒VLS法を用いたInP/GaInAsヘテロ構造ナノワイヤの光学特性評価」, 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 神奈川, 15p-421-7, 平成29年3月15日.
• 早坂夏樹, 西山哲央,大貫雄也, 鎌田直樹, 韓旭, Gandhi Kallarasan Periyanayagam,相川政輝,内田和希,杉山滉一,下村和彦, 「直接貼付けInP/Si基板上レーザ構造における電圧電流特性のアニール温度依存性」, 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 神奈川, 15p-P2-13, 平成29年3月15日.
• 相川政輝,西山哲央, 鎌田直樹, 大貫雄也, 杉山滉一, 早坂夏樹,内田和希,韓旭, Gandhi Kallarasan P., 下村 和彦, 「直接貼付InP/Si基板上レーザ構造のアニール温度依存性評価」, 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 神奈川, 15p-P2-12, 平成29年3月15日.
• 韓旭, 西山哲央, 鎌田直樹, 大貫雄也, Gandhi Kallarasan, 内田和希, 相川政輝,杉山滉一, 早坂夏樹,下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上1.5μm帯GaInAsPダブルヘテロレーザの電気特性」, 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 神奈川, 14p-P8-3, 平成29年3月14日.
• 内田和希, 西山哲央, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, Periyanayagam Gandhi Kallarasan, 杉山滉一, 相川政輝, 早坂夏樹,下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上1.5μm帯GaInAsPレーザの低温発振特性」, 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 神奈川, 14p-P8-2, 平成29年3月14日.
• 杉山滉一, 西山哲央, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, Periyanayagam Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 早坂夏樹, 内田和希, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザ構造のX線回折評価」, 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 神奈川, 14p-P8-1, 平成29年3月14日.
• G. Kallarasan, T. Nishiyama, K. Naoki, Y. Onuki and K. Shimomura, "Integration of GaInAsP Laser Diode on Direct-Bonded Thin Film InP-Si Substrate", 第77回応用物理学学術講演会, 朱鷺メッセ, 新潟, 16p-C301-4, 平成28年9月16日.
• 朝倉啓太, 高野紘平, 石田勝晃, 善村聡至, 下村和彦, 「自己触媒VLS法によるn-InP/ i-GaInAs/ p-InPコアマルチシェルナノワイヤの電流注入による発光特性」, 第77回応用物理学学術講演会, 朱鷺メッセ, 新潟, 14p-D62-5, 平成28年9月14日.
• 高野紘平, 朝倉 啓太, 善村聡至, 石田勝晃, 下村和彦, 「自己触媒VLS法によるInP/GaInAs/InPヘテロ構造ナノワイヤの成長」, 第77回応用物理学学術講演会, 朱鷺メッセ, 新潟, 14p-D62-2, 平成28年9月14日.
• 鎌田直樹, 西山哲央, 大貫雄也, 韓旭, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上GaInAsPダブルヘテロレーザの発振特性」, 第77回応用物理学学術講演会, 朱鷺メッセ, 新潟, 14p-B4-6, 平成28年9月14日.
• 大貫雄也, 西山哲央, 鎌田直樹, 韓旭, 相川政輝, 内田和希, 杉山滉一, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上結晶成長膜のInPテンプレート膜厚依存性」, 第77回応用物理学学術講演会, 朱鷺メッセ, 新潟, 14p-B4-5, 平成28年9月14日.
• 大貫雄也, 松本恵一, 岸川純也,　西山哲央, 鎌田直樹, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上結晶成長膜の接合強度およびPL強度の圧力依存性評価」, 第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学大岡山キャンパス, 21p-P16-10, 平成28年3月21日.
• 鎌田直樹, 鋤柄俊樹, 西山哲央, 大貫雄也, 松本恵一, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上InAs量子ドットの成長」, 第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学大岡山キャンパス, 21p-P16-8, 平成28年3月21日.
• 西山哲央, 松本恵一, 岸川純也, 鋤柄俊樹, 大貫雄也, 鎌田直樹, 菅家智一,下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上GaInAsP-InPダブルヘテロレーザの低温発振特性」, 第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学大岡山キャンパス, 20p-S321-11, 平成28年3月20日.
• 高野紘平, 荻野雄大, 朝倉啓太, 和保孝夫, 下村和彦, 「自己触媒VLS法によるInP/GaInAs/InPコアマルチシェルナノワイヤの光学特性評価」, 第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学大岡山キャンパス, 20p-P7-2, 平成28年3月20日.
• 朝倉啓太, 荻野雄大, 高野紘平, 和保孝夫, 下村和彦, 「自己触媒VLS法によるn-InP/i-GaInAs/p-InPコアシェルナノワイヤの電気特性評価」, 第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学大岡山キャンパス, 19p-W834-8, 平成28年3月19日.
• 鋤柄俊樹, 山元雄太, 西山哲央, 下村和彦, 「p変調ドープInAs/InPダブルキャップ量子ドット構造のドーピング濃度依存性」, 第76回応用物理学学術講演会, 名古屋国際会議場, 名古屋, 16p-2E-7, 平成27年9月16日.
• 松本恵一, 金谷佳則, 岸川純也, 山元雄太, 鋤柄俊樹, 西山哲央, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si 基板上MOVPE 法によるGaInAsP-InP ダブルヘテロレーザの集積」, 第76回応用物理学学術講演会, 名古屋国際会議場, 名古屋, 16p-2E-4, 平成27年9月16日.
• 朝倉啓太, 荻野雄大, 高野紘平, 和保孝夫, 下村和彦, 「自己触媒VLS法によるInP/GaInAs/InPコアシェルナノワイヤのTMI供給量依存性」, 第76回応用物理学学術講演会, 名古屋国際会議場, 名古屋, 15a-PB1-2, 平成27年9月15日.
• 西山哲央, 鋤柄俊樹, 鎌田直樹, 下村和彦, 「InAs/InPダブルキャップ量子ドットレーザの閾値電流密度共振器長依存性」, 第76回応用物理学学術講演会, 名古屋国際会議場, 名古屋, 14p-PA6-2, 平成27年9月14日.
• 荻野雄大, 朝倉啓太, 高野紘平, 和保孝夫, 下村和彦, 「自己触媒VLS法によるInP/GaInAs/InPコアシェルナノワイヤの光学特性評価」, 第76回応用物理学学術講演会, 名古屋国際会議場, 名古屋, 14p-2Q-3, 平成27年9月14日.
• 岸川純也, 松本恵一, 下村 和彦, 「直接貼付InP/Si基板接合界面における電気特性評価」, 第76回応用物理学学術講演会, 名古屋国際会議場, 名古屋, 13p-PB2-14, 平成27年9月13日.
• 朝倉啓太, 荻野雄大, 下村和彦, 和保孝夫, 「自己触媒VLS法によるInPナノワイヤのTMI供給量依存性」, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学湘南キャンパス, 13p-P12-4, 平成27年3月12日.
• 岸川純也, 松本恵一, 金谷佳則, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板における接合状態評価」, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学湘南キャンパス, 12p-A17-13, 平成27年3月12日.
• 松本恵一, 高巣誠, 金谷佳則, 岸川純也, 下村 和彦, 「直接貼付InP/Quartz基板上GaInAs/InP MQW LEDの電流注入動作」, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学湘南キャンパス, 12p-A17-12, 平成27年3月12日.
• 鋤柄俊樹, 山元雄太, 西山哲央, 下村和彦, 「p変調ドープInAs/InPダブルキャップ量子ドット構造の電流注入特性」, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学湘南キャンパス, 12p-A17-6, 平成27年3月12日.
• 荻野雄大, 朝倉啓太, 下村和彦, 和保孝夫, 「自己触媒VLS法によるInP/GaInAs/InPコアシェルナノワイヤの成長」, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学湘南キャンパス, 12a-A20-10, 平成27年3月12日.
• 岸川純也, 松本恵一, 金谷佳則, 下村和彦, 「直接貼付InP/Glass基板上選択MOVPE成長により形成されたInP系導波路の断面形状評価」, 第75回応用物理学学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス, 19p-PB5-16, 平成26年9月19日
• 金谷佳則, 松本恵一, 岸川純也, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板接合界面におけるボイドによる電気特性への影響」, 第75回応用物理学学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス, 19p-PB5-10, 平成26年9月19日
• 鋤柄俊樹, 山元雄太, 西山哲央, 下村和彦, 「集光導波路構造を導入したアレイ導波路型InAs量子ドットLEDの検討」, 第75回応用物理学学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス, 19a-PA8-1, 平成26年9月19日
• 松本恵一, 金谷佳則, 岸川純也, 下村和彦, 「直接貼付InP/SiO2接合界面におけるボイド占有率の評価」, 第75回応用物理学学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス, 18a-A19-12, 平成26年9月18日
• 荻野雄大, 朝倉啓太, 下村和彦, 和保孝夫, 「自己触媒VLS法によるInPナノワイヤの成長前基板温度依存性」, 第75回応用物理学学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス, 18a-A6-5, 平成26年9月18日
• 金谷佳則, 松本恵一, 小冷亮太, 岸川純也, 下村和彦, 「直接貼付InP/GaAs基板上GaInAsP系MOVPE成長」, 第61回応用物理学関係連合講演会,青山学院大学相模原キャンパス, 18p-PG6-6, 平成26年3月18日
• 岸川純也, 松本恵一, Zhang Xinxin, 金谷佳則, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上InAs積層量子ドット構造」, 第61回応用物理学関係連合講演会,青山学院大学相模原キャンパス, 18p-PG6-5, 平成26年3月18日
• 荻野雄大, 山内雅之, 山元雄太, 下村和彦, 和保孝夫, 「自己触媒VLS法によるInPナノワイヤの成長温度依存性」, 第61回応用物理学関係連合講演会,青山学院大学相模原キャンパス, 18p-PG6-3, 平成26年3月18日
• 松本恵一, 小冷亮太，岸川純也, 下村和彦, 「Si基板上直接貼付InP層の平坦性向上」, 第61回応用物理学関係連合講演会,青山学院大学相模原キャンパス, 18a-E11-7, 平成26年3月18日
• 鋤柄俊樹, 吉川翔平, 山内雅之, 山元雄太, 下村和彦, 「InAs積層量子ドットLEDにおける各層のピーク波長制御による広帯域化」, 第61回応用物理学関係連合講演会,青山学院大学相模原キャンパス, 17p-PA2-3, 平成26年3月17日
• 山元 雄太,　山内 雅之, 吉川 翔平,　下村 和彦, 「p-変調ドープInAs/InP量子ドット構造のEL特性」, 第61回応用物理学関係連合講演会,青山学院大学相模原キャンパス, 17p-PA2-2, 平成26年3月17日
• 金谷佳則, 松本恵一, Zhang Xinxin, 下村和彦, 「GaInAsP系結晶再成長のための直接貼付InP/Si基板接合界面における電気特性評価」, 第74回応用物理学学術講演会, 同志社大学, 19a-P8-16, 平成25年9月19日
• 松本恵一, Zhang Xinxin, 金谷佳則, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上GaInAs/InP MQW構造選択MOVPEにおけるPL波長シフト」, 第74回応用物理学学術講演会, 同志社大学, 19a-P8-12, 平成25年9月19日
• 山元雄太, 山内雅之, 吉川翔平, 鋤柄俊樹, 下村和彦, 「3元，4元キャップ層によるInAs/InP量子ドットの長波長発光」, 第74回応用物理学学術講演会, 同志社大学, 19a-P8-2, 平成25年9月19日
• 山内雅之, 吉川翔平, 山元雄太, 下村和彦, 「MOVPEによるGa間欠供給GaInAs量子ドットの発光特性」, 第74回応用物理学学術講演会, 同志社大学, 19a-P8-1, 平成25年9月19日
• 吉川翔平, 山内雅之, 山元雄太, 下村和彦, 「InAs積層量子ドットLEDの注入電流に対する各層の発光特性の評価」, 第74回応用物理学学術講演会, 同志社大学, 19a-P2-2, 平成25年9月19日
• 松本恵一, Xinxin Zhang, 金谷佳則, 下村和彦, 「直接貼付InP/glass 基板上におけるGaInAs/InP 層のMOVPE 結晶成長」, 第60回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 29a-PB7-14, 平成25年3月29日
• 山内雅之, 村上新, 松本恵一, 船山裕晃, 下村和彦, 和保孝夫, 「MOVPE による低テーパを目指したInAs ナノワイヤのVLS 成長」, 第60回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 29a-PB7-11, 平成25年3月29日
• Xinxin Zhang, 松本恵一, 金谷佳則, 山内雅之, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上へのGa0.2In0.8As量子ドット成長」, 第60回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 29a-PB7-3, 平成25年3月29日
• 山元雄太, 岩根優人, 山内雅之, 吉川翔平, 下村和彦, 「InAs 供給量増加によるInAs/InP ダブルキャップ量子ドットの長波長発光」, 第60回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 29a-PB7-1, 平成25年3月29日
• 吉川翔平, 三枝知充,　岩根優人,　山内雅之, 下村和彦, 「選択成長およびダブルキャップ法を用いたInAs量子ドットアレイLEDのフラットトップスペクトル」, 第60回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 29p-B4-9, 平成25年3月29日
• 三枝知充,　岩根優人,　吉田圭佑,　山内雅之, 吉川翔平,　下村和彦, 「選択成長およびダブルキャップ法を用いたInAs量子ドットアレイLEDのPL特性」, 第73回応用物理学学術講演会, 愛媛大学, 13a-PA8-4, 平成24年9月13日
• 松本恵一, 牧野辰則, 喜村勝矢, 下村和彦, 「直接貼付InP/SiO2-Si基板上におけるMOVPE結晶成長表面の面粗さ測定」, 第73回応用物理学学術講演会, 愛媛大学, 12p-PB11-17, 平成24年9月12日
• 岩根優人,　三枝知充,　吉田圭佑,　山内雅之, 吉川翔平,　下村和彦, 「ファーストキャップ層厚変化によるInAs/InPダブルキャップ量子ドットの長波長発光」, 第73回応用物理学学術講演会, 愛媛大学, 12p-PB11-13, 平成24年9月12日
• 村上新, 船山裕晃, 下村和彦, 和保孝夫, 「Au微粒子を用いたGaAs(111)B基板上InAsナノワイヤのV/III比依存性」, 第73回応用物理学学術講演会, 愛媛大学, 12p-PB11-7, 平成24年9月12日
• 吉川翔平, 三枝知充,　岩根優人,　下村和彦, 「MOVPE選択成長およびダブルキャップ法を用いたアレイ導波路型InAs量子ドットLEDのスペクトル特性」, 2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 富山大学, C-4-26, 平成24年9月12日
• 柳智史, 吉岡政洋, 下村和彦, 「電界効果GaInAs/InP MQWアレイ導波路型波長スイッチの動作特性と解析」, 2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 富山大学, C-3-5, 平成24年9月11日
• 柳 智史，青柳 孝典，谷村 昂，下村 和彦, 「電界効果GaInAs/InP MQW波長スイッチの電極構造改善」, 第59回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 17p-F4-18, 平成24年3月
• 岩根優人,　三枝知充,　吉田圭佑,　山内雅之, 吉川翔平,　下村和彦, 「Ga0.9In0.1Asバッファ層を用いたInAs/InP量子ドットの発光特性」, 第59回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 17p-DP3-18, 平成24年3月
• 松本恵一，牧野辰則，喜村勝矢, 下村和彦, 「直接貼付InP/Si基板上におけるGaInAs/InP系MOVPE結晶成長」, 第59回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 17p-DP3-7, 平成24年3月
• 青柳 孝典，吉岡 政洋，柳 智史, 下村和彦, 「GaInAs/InP MQW選択成長アレイ導波路のキャリア注入時の屈折率変化量」, 第59回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 18a-GP4-9, 平成24年3月
• 三枝知充,　岩根優人,　吉田圭佑,　山内雅之, 吉川翔平,　下村和彦, 「3層InAs量子ドットアレイLEDのELスペクトルの解析」, 第59回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 17p-GP12-5, 平成24年3月
• 村上 新，船山 裕晃，下村 和彦，和保 孝夫, 「GaAs(111)B,GaAs(100),InP(111)B,InP(100)基板におけるAu微粒子を用いたInAsナノワイヤ成長」, 第59回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 16p-GP6-6, 平成24年3月

過去の論文はこちら