下村研究室は光集積回路実現に関する研究を行っています。　　　▷English

2023年度

修士論文

• Chen CHEN：自己触媒VLS法によるGaAsナノワイヤの作製及び太陽電池への応用に関する研究
• 青木 彩絵：1.5µm帯Si基板上SCH-MQWリッジレーザに関する研究
• 矢田 涼介：Si基板上MQWレーザにおける発振特性と界面状態に関する研究

学士論文

• 吉永 優里：InPホモ接合太陽電池デバイスに関する基礎研究
• 福岡 星奈：Si基板上GaInAsP系レーザの熱特性向上に関する基礎研究
• 平井 隆之介：InP/Si親水性直接貼付基板の貼付条件に関する基礎研究

2022年度

修士論文

• 阿形 幸二：Si基板上量子井戸レーザにおける発振特性の歪量依存性に関する研究
• 伊藤 慎吾：Si基板上半導体レーザの連続発振へ向けた研究
• 香取 祐太：InPコアナノワイヤへの選択的シェル層構造成長に関する研究
• 趙 亮：InP-Si基板のボイド低減と導波損失に関する研究

学士論文

• Junyu ZHANG：ガスアウトチャネルを用いた直接貼付InP/Si基板に関する基礎研究
• 黒井 瑞生：InP/Si基板上SCH-MQWレーザの低しきい値構造に関する基礎研究
• 山本 直哉：直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザへの金メッキ処理とダイボンディングに関する基礎研究
• 杉田 楓夏：GaAs基板上GaInP成長条件の最適化と太陽電池デバイス作製に関する基礎研究

2021年度

博士論文

• Xu HAN：Fundamental study of semiconductor laser diodes on silicon platform

修士論文

• 桑原　圭：GaInP/GaAs構造 による太陽光エネルギー変換デバイス に関する研究
• 佐藤元就：直接貼付法によるInP-Si基板の加熱処理プロセスに関する研究
• 澁川航大：InP/Si基板上埋込SCH-MQWレーザに関する研究

学士論文

• Chen CHEN：自己触媒VLS法によるGaAsナノワイヤの成長条件に関する基礎研究
• 青木彩絵：直接貼付InP/Si基板上リッジレーザに関する基礎研究
• 矢田涼介：InP/Si基板上SCH-MQWレーザーの井戸層厚に関する研究

2020年度

修士論文

• 石原理暉：再成長法による InP/GaInAs コアシェルナノワイヤ構造形成に関する研究
• 石崎隆浩：シリコン基板上歪量子井戸レーザの発振特性に関する研究
• 白井琢人：InP/Si基板上InAs量子ドット構造成長に関する研究
• 対馬幸樹：1.5µm波長帯シリコン基板上埋込型量子井戸レーザの研究

学士論文

• 阿形幸二：InP/Si基板上SCH-MQW構造の温度特性に関する基礎研究
• 伊藤慎吾：表面電極レーザの導波路構造に関する基礎研究
• 香取祐太：InPコアナノワイヤへの選択的シェル構造成長に関する基礎研究
• 小谷桃子：ガスアウトチャネルを用いた直接貼付InP/Si基板作製に関する基礎研究

2019年度

修士論文

• 松浦正樹：直接貼付InP/SiO2/Si基板上GaInAsP量子井戸レーザに関する研究

学士論文

• 桑原　圭：GaAs基板上GaInP結晶の成長条件と太陽電池デバイスの基礎研究
• 佐藤元就：InP/Si直接貼付基板上レーザの直接貼付プロセスに関する基礎研究
• 澁川航大：InP/Si直接貼付基板を用いた選択MOVPE成長に関する基礎研究
• 藤原啓太：InP/Si 基板上 GaInAsP/GaInAsP MQW レーザの発振特性に関する基礎研究

2018年度

博士論文

• Gandhi Kallarasan Periyanayagam：Lasing characteristics of GaInAsP double-heterostructure lasers on silicon platform

修士論文

• 相川政輝：直接貼付InP/Si基板上レーザのテンプレート膜厚および歪緩衝層導入に関する研究
• 石田勝晃：自己触媒VLS法を用いたInP/GaInAsヘテロ構造ナノワイヤの結晶組成と光学特性評価
• 内田和希：1.5μm波長帯Si基板上GaInAsPハイメサレーザの室温連続発振に向けた研究
• 杉山滉一：直接貼付InP/Si基板上SCH-MQWレーザの結晶成長条件と発振特性に関する研究
• 早坂夏樹：直接貼付InP/Si基板上レーザのテンプレート熱処理条件に関する研究
• 善村聡至：自己触媒VLS法によるInP/GaInAsコアマルチシェルナノワイヤの結晶成長機構に関する研究

学士論文

• 石崎隆浩：InP/Si基板上SCH-MQW構造の温度特性に関する基礎研究
• 石原理暉：自己触媒InP/GaInAsコアマルチシェルナノワイヤの成長に関する基礎実験
• 白井琢人：InP基板及びInP/Si基板上自己形成InAs量子ドット形状に関する基礎研究
• 対馬幸樹：1.5μm波長帯シリコン基板上表面電極GaInAsPレーザの基礎研究

2017年度

修士論文

• 大貫雄也：シリコンプラットフォーム上レーザ集積のためのSi基板-InP薄膜接合技術に関する研究
• 鎌田直樹：InP/Si直接貼付基板上電流狭窄型1.5μm帯GaInAsPダブルヘテロレーザの集積に関する研究
• 韓 旭：直接貼付InP/Si基板上GaAsInPダブルヘテロレーザの電気特性改善に関する研究
• 高野紘平：自己触媒VLS法を用いたInP/GaInAsヘテロ構造ナノワイヤの成長と評価

学士論文

• 佐藤栄成：直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザの室温連続発振に向けた基礎研究
• 松浦正樹：直接貼付InP/Si基板のアニール処理の温度プロファイルに関する基礎研究
• 矢田拓夢：直接貼付InP/Si基板上GaInAsPリッジ・ハイメサレーザの発振特性に関する基礎研究

2016年度

修士論文

• 朝倉啓太：自己触媒VLS法によるn-i-p InP/GaInAsコアシェルナノワイヤの成長と発光特性に関する研究
• 西山哲央：直接貼付InP/Si基板上へのGaInAsPストライプレーザ集積に関する研究

学士論文

• 相川政輝：直接貼付InP/Si基板のアニール処理温度に関する基礎研究
• 石田勝晃：自己触媒VLS成長法によるInP/GaInAsヘテロ構造ナノワイヤの結晶成長に関する基礎研究
• 内田和希：1.5μm波長帯Si基板上貼り付けGaInAsPレーザの発振に向けた基礎研究
• 杉山滉一：直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザの構造最適化に関する基礎研究
• 早坂夏樹：直接貼付InP/Si基板上レーザ構造における発振特性のアニール温度依存性に関する基礎研究
• 善村聡至：自己触媒VLS法によるInP/GaInAsコアシェルナノワイヤの成長プロセスに関する基礎研究

2015年度

博士論文

• 松本恵一：Integration of III-V optical semiconductor devices on silicon platform

修士論文

• 荻野雄大：自己触媒VLS法によるInPナノワイヤの成長機構とコアマルチシェル構造ナノワイヤに関する研究
• 岸川純也：Si基板上InP薄膜を用いたGaInAsPレーザ集積化に関する研究
• 鋤柄俊樹：p変調ドーピングInAs量子ドットレーザの活性層構造に関する研究

学士論文

• 大貫雄也：直接貼付InP/Si基板の界面特性に関する基礎研究
• 鎌田直樹：直接貼付InP/Si基板上InAs量子ドットの成長に関する基礎研究
• 菅家智一：直接貼付InP/Si基板上GaInAsP系レーザーの発光特性に関する基礎研究
• 高野紘平：コアマルチシェルナノワイヤの成長原理とデバイス化に向けた基礎研究

2014年度

修士論文

• 金谷佳則：直接貼付InP/Si基板の電気特性評価とレーザ集積に関する研究
• 山元雄太：InAs量子ドットレーザに向けた結晶成長条件とレーザ構造に関する研究

学士論文

• 朝倉啓太：自己触媒VLS法InPナノワイヤ成長のⅢ族供給量依存に関する基礎研究
• 高巣誠：直接貼付InP/Quartz基板上GaInAs/InP MQW LEDの作製
• 西山哲央： InAs量子ドットレーザのためのGaInAsPバルクレーザに関する基礎研究

2013年度

修士論文

• TIAN CHAO：屈折率差および導波路長差を持つ曲線型アレイ導波路に関する研究
• ZHANG XINXIN：直接貼付InPテンプレート基板上へのIｎAs量子ドット成長とデバイス応用に関する研究
• 小冷亮太：Si基板上直接貼付InP層の平坦性向上と接合界面における電気特性に関する研究
• 山内雅之：広帯域LEDのための(Ga)InAs量子ドット成長と面発光型デバイスに関する研究　
• 吉岡政洋：アレイ導波路型光スイッチの分波間隔の検討とInAs量子ドットコア層に関する研究
• 吉川翔平：集光導波路構造を用いたInAs量子ドットLEDの発光特性に関する研究

学士論文

• 荻野雄大：自己触媒VLS成長機構を利用したInPナノワイヤ成長に関する基礎研究
• 岸川純也：直接貼付InP/Si基板における接合状態評価とInAs量子ドットLED集積の検討
• 鋤柄俊樹： 集光導波路構造を導入したアレイ導波路型InAs量子ドットLEDの基礎研究
• 谷直大： 階段型屈折率分布アレイ導波路におけるキャリア注入を用いた波長スイッチング素子へのInAs量子ドット導入に関する基礎研究

2012年度

修士論文

• 井上朋紀：Ｐ型変調ドープを用いたInAs量子ドットの発光特性に関する研究
• 岩根優人：MOVPE結晶成長InAs/InP量子ドットの発光波長長波長化に関する研究
• 三枝知充：量子ドットLEDのバッファ層組成および層厚制御による広帯域化に関する研究
• 松本恵一：直接貼付InPテンプレートを用いた異種基板上MOVPE結晶成長に関する研究　
• 村上新：MOVPEによるVLS成長InAsナノワイヤに関する研究
• 栁智史：屈折率分布アレイ導波路における電界効果　波長スイッチング特性に関する研究
• 山﨑勇輝：熱光学効果型波長選択光スイッチの低消費電力化に関する研究
• 吉田圭佑：InAs/InP量子ドットレーザ構造へのP変調ドープに関する研究

学士論文

• 金谷佳則：InP/Si基板上GaInAsP系結晶成長と電気特性に関する基礎研究
• 関浩康：アレイ導波路型波長選択スイッチにおけるＩＴＯを用いた導波損失の低減化に関する基礎研究
• 山元雄太： 低バリア層埋め込み構造によるInAs量子ドットの長波長化に関する基礎研究

2011年度

修士論文

• 青柳孝典：階段型屈折率分布アレイ導波路へのキャリア注入によるスイッチング特性に関する研究
• 牧野辰則：直接貼付法を用いたSi基板上InP系光デバイスの研究

学士論文

• TIAN CHAO：熱光学効果型屈折率分布アレイ導波路波長スイッチのヒーター金属膜厚に関する基礎研究
• 喜村勝矢：直接貼付けSi/InP基板上におけるInP系半導体結晶成長に関する基礎研究
• 山内雅之：GaInAsバッファー層の高Ga化におけるInAs量子ドットのPL発光特性に関する基礎研究
• 吉岡政洋：屈折率分布アレイ導波路におけるアレイ導波路長と分波間隔の基礎検討
• 吉川翔平：アレイ導波路型InAs量子ドットLEDの発光波長広帯域化のための層構造の検討

2010年度

修士論文

• 川島史裕：GaInAs組成制御バッファ層を用いた量子ドットLEDの発光波長広帯域化に関する研究
• 谷村　昂：屈折率分布アレイ導波路への電界印加による光学特性に関する研究
• 廣岡雅人：組成変化キャップ層を用いたInAs/InP量子ドットの発光特性に関する研究
• 村上洋介：金属薄膜ヒーターを用いた波長選択光スイッチの低消費電力化に関する研究

学士論文

• 岩根優人：GaxIn1-xAs組成変化ファーストキャップ層を用いたダブルキャップInAs量子ドットに関する基礎研究
• 三枝知充：Ga組成制御buffer層を用いた広帯域量子ドットLED作製に関する基礎研究
• 細見　暁：Ga組成変化SCL2層を用いたダブルキャップ法量子ドットの基礎研究
• 松本恵一：直接貼付を用いたハイブリッド 集積型光デバイス用基板作製に 関する基礎研究
• 村上　新：金属貼り付けによるSi基板上ハイブリッド型光デバイス作製の基礎研究
• 諸岡真野人：組成変化バッファー層を用いた量子ドットLEDの発光波長広帯域化に関する基礎研究
• 山﨑勇輝：階段型屈折率分布アレイ導波路における熱光学効果型波長スイッチの消費電力改善に関する基礎研究
• 栁　智史：階段型屈折率分布アレイ導波路における電界効果を用いた波長スイッチングと屈折率変化量に関する基礎研究

2009年度

修士論文

• 杉尾崇行：階段型屈折率分布アレイ導波路を用いたキャリア注入型波長選択スイッチの研究
• 鈴木勇介：InAs/InP二重量子ドット構造を用いた広帯域LEDに関する研究

学士論文

• 青柳孝典：新しいコア構造・材料を用いた選択成長アレイ導波路に関する基礎研究
• 衛　暁峰：組成変化バッファー層による量子ドットLEDの特性変化に関する基礎研究
• 小冷亮太：2重量子ドットを用いた選択成長アレイ導波路に関する基礎研究
• 徳永義久：Measurement of absorption and refraction in index varied arrayed waveguide
• 牧野辰則：直接貼付法を用いたSi基板上ハイブリッド光デバイスの基礎研究

2008年度

修士論文

• 赤石昌隆：歪制御層を用いたダブルキャップ法InAs/InP量子ドットに関する研究
• 岩崎寛弥：アレイ型波長選択スイッチにおける導波路構造最適化に関する研究
• 斉藤泰仁：組成変化バッファー層を用いた広帯域量子ドットアレイLEDに関する研究
• 清水優：屈折率分布アレイ導波路を用いた熱効果型波長選択スイッチの研究

学士論文

• 川島史裕：組成変化バッファー層を用いた量子ドットLEDの発光波長広帯域化に関する基礎研究
• 竹内考太朗：屈折率分布アレイ導波路における　分波間隔・クロストークに関する基礎研究
• 谷村　昂：アレイ型波長選択スイッチングデバイスの実現に向けた基礎研究
• 津布久正浩：InP(001)基板上におけるInAs量子ドットの電流注入による屈折率変化量測定
• 広岡雅人：歪緩和層を用いたInAs量子ドットのダブルキャップ法に関する基礎研究
• 村上洋介：屈折率分布アレイ導波路を用いたヒータ装荷型波長選択スイッチに関する基礎研究
• 朱　蕾：熱光学効果型波長選択光スイッチ偏波依存性に関する基礎研究

2007年度

修士論文

• 大川達也：MOVPE選択成長InAs量子ドットの発光波長広帯域化に関する研究
• 茂木瑞穂：InAs量子ドット内の電界印加・電流注入による屈折率変化測定
• 川邊　壮：屈折率分布アレイ導波路を用いた熱光学効果型波長光スイッチに関する研究

学士論文

• 井上朋紀：ストライプアレイマスクを用いたＭOVPE選択成長によるInAs量子ドットの広波長帯域化に関する基礎研究
• 杉尾崇行：階段型屈折率分布アレイ導波路による波長分割型光スイッチに関する研究
• 竹谷真司：選択成長InAs量子ドットの発光波長広帯域化に向けての基礎研究
• 福田憲由：熱光学効果を用いたアレイ導波路光スイッチにおけるスイッチング速度に関する基礎研究
• 木暮俊司：階段型屈折率分布アレイ導波路を用いた光スイッチの熱光学効果におけるスイッチング特性改善に関する基礎研究
• 三代川翔：多層化構造に向けたＭOVPE選択成長による量子ドットの波長制御とフォトルミネッセンスに関する基礎研究

2006年度

修士論文

• 山内雄介：MOVPE選択成長によるInAs量子ドットの波長制御に関する研究
• 吉岡太一：選択成長アレイ導波路を用いた波長分割型光スイッチに関する研究
• 米山陽子：結合量子井戸構造CQWの光スイッチ・変調器の 応用に関する研究

学士論文

• 赤石昌隆：ストライプアレイマスクを用いたMOVPE選択成長によるInAs量子ドットの波長制御に関する研究
• 綾部信治：量子ドットの屈折率変化測定に関する基礎研究
• 岩崎寛弥：金属ヒータによる熱光学効果を用いた二モード干渉型光スイッチに関する研究
• 川瀬陽平：アレイ導波路を用いた波長分割光スイッチのスイッチングに関する基礎研究
• 斉藤泰仁：InP基板上自己形成InAs量子ドットの作製に関する基礎研究
• 清水　優：階段型屈折率分布アレイ導波路を用いた光スイッチの消費電力低減に関する研究
• 松本寛万：階段型屈折率分布アレイ導波路を用いた波長分割光スイッチの数値解析

2005年度

博士論文

• 川北泰雅：Research on Semiconductor Optical Waveguide Array Fabricated by Selective MOVPE Growth

修士論文

• 岩渕裕樹：マッハツェンダー干渉計を用いた半導体全光スイッチに関する基礎研究
• 岡本理志：MOVPE選択成長によるInAs量子ドットの作製に関する研究
• 栗橋鉄平：GaInAs/InP MQW 構造を用いた二モード干渉型光スイッチに関する研究
• 町田大輔：選択成長導波路アレイを用いた光スイッチに関する研究
• 山本純也：InP基板上InAs量子ドット多層構造に関する研究

学士論文

• 石戸　亮：マッハツェンダー型光スイッチの屈折率変化測定に関する基礎研究
• 鈴木昌三郎：熱光学効果を用いた二モード干渉型光スイッチの研究
• 浜中謙太：選択成長アレイ導波路の偏波無依存化構造に関する基礎研究
• 真木大智：AFM解析と低温PLによるストライプアレイマスク選択成長QDの形状・密度制御に関する基礎研究
• 山村崇弘：結合量子井戸構造（CQW）における電界印加による吸収と屈折率変化

2004年度

修士論文

• 川合 陽：MOVPE選択成長法によるアレイ導波路の成長条件依存性
• 下田屋　卓：MOVPE選択成長屈折率分布アレイ導波路を用いた光偏向器の検討
• 廣瀬和義：InP(100)基板上の自己形成InAs量子ドットの光学特性
• 福田秀明：二モード干渉導波路を用いた半導体全光スイッチの検討

学士論文

• 伊藤嘉高：MOVPE選択成長を用いた 全光スイッチにおける非線形吸収・屈折率測定
• 大川達也：フォトニック結晶を用いた 光導波路の基礎研究
• 久保田亮：InAs/InP量子ドットの径および高さの均一化に向けた基礎研究
• 杉谷拓郎：量子ドットレーザ実現に向けた多層構造の検討
• 中島直人：MOVPE選択成長アレイ導波路におけるGa組成の推定
• 増子　順：マッハ・ツェンダー干渉計型 全光スイッチにおける屈折率変化の推定
• 山内雄介：ストライプアレイマスクを用いた選択成長によるS-Kドットの形状・密度制御に関する研究
• 吉岡太一：選択成長アレイ導波路を用いた波長分波器の特性改善に関する研究
• 米山陽子：電界印加型TMI光スイッチにおける導波路設計とその試作

2003年度

修士論文

• 石原義之：GaInAs/InP MQW構造アレイ導波路を用いた波長分器に関する研究
• 磯山啓明：窒化物半導体を利用した光デバイスへの応用に向けた研究
• 結城 武彦：MOVPE選択成長法を用いた全光スイッチに関する研究

学士論文

• 岩渕裕樹：GaInAs/InP MQW構造を用いた全光スイッチに関する基礎研究
• 岡本理志：InP(100)基板上の自己形成InAs量子ドットのキャップ層の平坦化に関する基礎研究
• 菊池正恭：Ⅲ族窒化物半導体を用いた光デバイスに関する基礎研究
• 栗橋鉄平：MOVPE選択成長法を用いた光スイッチに関する基礎研究
• 塩田倫也：MOVPE成長InAs/InP(001)自己形成量子ドットにおけるPL強度・波長に関する基礎研究
• 深尾直樹：GaInAs/InP MQW構造アレイ導波路を用いた波長分波器に関する基礎研究
• 町田大輔：光スイッチの実現に向けた階段型屈折率分布アレイ導波路を用いた光偏向器に関する研究
• 山本純也：InP基板上自己形成InAs量子ドットの量子ドット形状に関する基礎研究

2002年度

修士論文

• 川北泰雅：階段型屈折率分布アレイ導波路を用いた波長分割光スイッチに関する研究
• 後藤芳男：窒化物半導体を用いた光導波デバイスに関する研究
• 福岡竜二：InP基板上の自己形成InAs量子ドットのサイズ・密度制御に関する研究
• 森口裕亮：MOVPE選択成長を用いたアレイ導波路に関する研究

学士論文

• 川合 陽：MOVPE選択成長法におけるアレイ導波路作製に関する基礎研究
• 齋藤崇好：スラブ領域を設けた階段型屈折率分布アレイ導波路の導波測定に関する基礎研究
• 下田屋　卓：階段型屈折率分布アレイ導波路を用いた光偏向器に関する基礎研究
• 福田秀明：半導体光増幅器を用いた交差型全光スイッチに適した構造に関する基礎研究
• 平井　賢：InP基板上の自己形成InAs量子ドットの作製に関する基礎研究

2001年度

修士論文

• 木原達哉：有機金属気相成長を用いた選択成長アレイ導波路に関する研究
• 中山佳英：半導体量子井戸構造を用いた全光学型光スイッチに関する研究
• 三木一憲：アレイ導波路を用いた半導体光偏向器に関する研究
• 山崎功一朗v4光波混合波長変換素子のための自己形成InAs量子ドットに関する研究

学士論文

• 石原義之：アレイ導波路を用いた光偏向器の作製に関する基礎研究
• 磯山啓明：長波長域におけるAlxGa1-xNの光学特性に関する基礎研究
• 品川裕司：InAs量子ドットの光学的評価に関する基礎研究
• 結城武彦：全光交差型光スイッチの 設計および試作に関する基礎研究

2000年度

修士論文

• 高野洋平：InP-AlAs酸化膜直接貼付を用いた光制御FETの研究

学士論文

• 岡野貴広：アレイ導波路を用いた光偏向器の作製に関する基礎研究
• 川北泰雅：アレイ導波路型光偏向器のための多モード干渉素子に関する研究
• 福岡竜二：量子ドット構造を用いた半導体レーザ増幅器に関する基礎研究
• 森口裕亮：選択成長によるアレイ導波路の波長分割型光スイッチに関する基礎研究

1999年度

修士論文

• 新田雄一：選択成長法を用いた新型光偏向器に関する研究
• Satrusajang　Ratapon：櫛型電極を用いた導波路型光偏向器に関する研究

学士論文

• 有本 勇：直接貼付を用いた新型光制御FETの基礎研究
• 木原達哉：選択成長によるアレイ導波路の作製に関する基礎研究
• 櫻井啓匡：光偏向素子の遠視野像測定に関する基礎研究
• 須田浩章：選択成長を用いたアレー導波路の波長制御に関する基礎研究
• 松本 覚：櫛形偏向器に関する基礎研究
• 三木一憲：アレイ導波路を用いた光偏向器の数値解析に関する基礎研究

1998年度

学士論文

• 高野洋平：光制御ＣＭＯＳの基礎研究
• 杉澤雄也：選択成長のバンドギャップ制御を用いたアレイ型集積デバイスに関する基礎研究
• 吉田聖書：陽極酸化法を用いたナノ構造形成に関する基礎研究
• 山本裕也：新型光偏向器の提案とその基礎研究

1997年度

修士論文

• 新井将之：有機金属気相成長(MOVPE)法を用いたGaInAsP系結晶成長に関する研究
• 小林隆史：歪量子井戸における電気光学効果の理論解析
• 佐久間剛：導波路型光偏向素子に関する研究
• 島根　誉：アトムビームエッチングを用いた多重反射型光スイッチの試作に関する研究
• 山縣智成：光制御MOSFETに関する研究

学士論文

• 木下和敏：直接貼り付け技術を用いた光制御MOSFETの試作に関する基礎研究
• 櫻井 幹：光制御MOSFETの動特性測定に関する基礎研究
• 新田雄一：有機金属気相成長法によるInAsドット成長に関する基礎研究
• Satrusajang　Ratapon：櫛形光偏向器の試作に関する基礎研究

1996年度

修士論文

• 酒井崇幸：直接貼付技術を用いた光制御FETに関する研究

学士論文

• 天野史章：アトムビームエッチングによるInPの微細加工に関する基礎研究
• 梅田泰仁：EB露光法を用いた微細描画に関する基礎研究
• 高 学廉：量子井戸構造における三次非線形感受率の理論解析
• 坂田和昭：直接貼付技術を用いた集積型光制御MOSFETに関する基礎研究
• 武居靖大：集積型光制御HEMTに関する基礎研究
• 本吉慎一郎：導波路型光偏向器の数値解析と試作に関する基礎研究

1995年度

修士論文

• 船本憲司：アトムビームを用いたドライエッチングプロセスに関する研究

学士論文

• 新井将之：メサエッチングと陽極化成酸化法を用いたGaInAsP/InP極微構造導波路形成に関する基礎研究
• 小林隆史：FD-BPMによる光偏向器の数値解析
• 佐久間剛：GaAs MESFETの性能向上に関する基礎研究
• 島根 誉：アトムビームエッチング装置を用いたドライエッチングに関する研究
• 比嘉　基：RTAによるn-GaAsへのZn拡散
• 山縣智成：光制御MOSFETの特性向上に関する基礎研究

1994年度

修士論文

• 清水行男：光制御FETの作製と動作特性に関する研究

学士論文

• 網代　孝：電解エッチングを用いたGaAs極微構造形成に関する基礎研究
• 清田　要：面型光偏向器のBPMを用いた解析
• 酒井崇幸：異種半導体基板の直接貼付技術を用いた光制御FETの試作
• 鈴木将昭：光制御MOSFETの作製に関する基礎研究
• 二川隆宏：GaAs　MESFETの性能向上に関する基礎研究
• 山下益功：MESFET型光制御FETの試作に関する基礎研究

1993年度

学士論文

• 池上英之：異種半導体直接貼付基板の作製に関する基礎研究
• 船本憲司：多孔質シリコンに関する基礎研究　形成原理と発光特性
• 古野貴嗣：電界遮蔽効果を用いた光ゲートFETに関する基礎研究
• 矢作雅之：GaAs　MESFETの性能向上に関する基礎研究

1992年度

学士論文

• 奥村　剛：電解エッチングを用いたGaAs微細構造形成に関する基礎研究
• 高橋敬司：電界遮蔽効果を用いた光ゲートFETに関する基礎研究
• 藤田寛司：GaAs　MESFETの作製プロセスに関する基礎研究