We are studying Photonic Integrated Circuits.　　　▷Japanese

Almost thesis are Japanese.

2012年度

修士論文

• 井上朋紀：Ｐ型変調ドープを用いたInAs量子ドットの発光特性に関する研究
• 岩根優人：MOVPE結晶成長InAs/InP量子ドットの発光波長長波長化に関する研究
• 三枝知充：量子ドットLEDのバッファ層組成および層厚制御による広帯域化に関する研究
• 松本恵一：直接貼付InPテンプレートを用いた異種基板上MOVPE結晶成長に関する研究　
• 村上新：MOVPEによるVLS成長InAsナノワイヤに関する研究
• 栁智史：屈折率分布アレイ導波路における電界効果　波長スイッチング特性に関する研究
• 山﨑勇輝：熱光学効果型波長選択光スイッチの低消費電力化に関する研究
• 吉田圭佑：InAs/InP量子ドットレーザ構造へのP変調ドープに関する研究

学士論文

• 金谷佳則：InP/Si基板上GaInAsP系結晶成長と電気特性に関する基礎研究
• 関浩康：アレイ導波路型波長選択スイッチにおけるＩＴＯを用いた導波損失の低減化に関する基礎研究
• 山元雄太： 低バリア層埋め込み構造によるInAs量子ドットの長波長化に関する基礎研究

2011年度

修士論文

• 青柳孝典：階段型屈折率分布アレイ導波路へのキャリア注入によるスイッチング特性に関する研究
• 牧野辰則：直接貼付法を用いたSi基板上InP系光デバイスの研究

学士論文

• TIAN CHAO：熱光学効果型屈折率分布アレイ導波路波長スイッチのヒーター金属膜厚に関する基礎研究
• 喜村勝矢：直接貼付けSi/InP基板上におけるInP系半導体結晶成長に関する基礎研究
• 山内雅之：GaInAsバッファー層の高Ga化におけるInAs量子ドットのPL発光特性に関する基礎研究
• 吉岡政洋：屈折率分布アレイ導波路におけるアレイ導波路長と分波間隔の基礎検討
• 吉川翔平：アレイ導波路型InAs量子ドットLEDの発光波長広帯域化のための層構造の検討

2010年度

修士論文

• 川島史裕：GaInAs組成制御バッファ層を用いた量子ドットLEDの発光波長広帯域化に関する研究
• 谷村　昂：屈折率分布アレイ導波路への電界印加による光学特性に関する研究
• 廣岡雅人：組成変化キャップ層を用いたInAs/InP量子ドットの発光特性に関する研究
• 村上洋介：金属薄膜ヒーターを用いた波長選択光スイッチの低消費電力化に関する研究

学士論文

• 岩根優人：GaxIn1-xAs組成変化ファーストキャップ層を用いたダブルキャップInAs量子ドットに関する基礎研究
• 三枝知充：Ga組成制御buffer層を用いた広帯域量子ドットLED作製に関する基礎研究
• 細見　暁：Ga組成変化SCL2層を用いたダブルキャップ法量子ドットの基礎研究
• 松本恵一：直接貼付を用いたハイブリッド 集積型光デバイス用基板作製に 関する基礎研究
• 村上　新：金属貼り付けによるSi基板上ハイブリッド型光デバイス作製の基礎研究
• 諸岡真野人：組成変化バッファー層を用いた量子ドットLEDの発光波長広帯域化に関する基礎研究
• 山﨑勇輝：階段型屈折率分布アレイ導波路における熱光学効果型波長スイッチの消費電力改善に関する基礎研究
• 栁　智史：階段型屈折率分布アレイ導波路における電界効果を用いた波長スイッチングと屈折率変化量に関する基礎研究

2009年度

修士論文

• 杉尾崇行：階段型屈折率分布アレイ導波路を用いたキャリア注入型波長選択スイッチの研究
• 鈴木勇介：InAs/InP二重量子ドット構造を用いた広帯域LEDに関する研究

学士論文

• 青柳孝典：新しいコア構造・材料を用いた選択成長アレイ導波路に関する基礎研究
• 衛　暁峰：組成変化バッファー層による量子ドットLEDの特性変化に関する基礎研究
• 小冷亮太：2重量子ドットを用いた選択成長アレイ導波路に関する基礎研究
• 徳永義久：Measurement of absorption and refraction in index varied arrayed waveguide
• 牧野辰則：直接貼付法を用いたSi基板上ハイブリッド光デバイスの基礎研究

2008年度

修士論文

• 赤石昌隆：歪制御層を用いたダブルキャップ法InAs/InP量子ドットに関する研究
• 岩崎寛弥：アレイ型波長選択スイッチにおける導波路構造最適化に関する研究
• 斉藤泰仁：組成変化バッファー層を用いた広帯域量子ドットアレイLEDに関する研究
• 清水優：屈折率分布アレイ導波路を用いた熱効果型波長選択スイッチの研究

学士論文

• 川島史裕：組成変化バッファー層を用いた量子ドットLEDの発光波長広帯域化に関する基礎研究
• 竹内考太朗：屈折率分布アレイ導波路における　分波間隔・クロストークに関する基礎研究
• 谷村　昂：アレイ型波長選択スイッチングデバイスの実現に向けた基礎研究
• 津布久正浩：InP(001)基板上におけるInAs量子ドットの電流注入による屈折率変化量測定
• 広岡雅人：歪緩和層を用いたInAs量子ドットのダブルキャップ法に関する基礎研究
• 村上洋介：屈折率分布アレイ導波路を用いたヒータ装荷型波長選択スイッチに関する基礎研究
• 朱　蕾：熱光学効果型波長選択光スイッチ偏波依存性に関する基礎研究

2007年度

修士論文

• 大川達也：MOVPE選択成長InAs量子ドットの発光波長広帯域化に関する研究
• 茂木瑞穂：InAs量子ドット内の電界印加・電流注入による屈折率変化測定
• 川邊　壮：屈折率分布アレイ導波路を用いた熱光学効果型波長光スイッチに関する研究

学士論文

• 井上朋紀：ストライプアレイマスクを用いたＭOVPE選択成長によるInAs量子ドットの広波長帯域化に関する基礎研究
• 杉尾崇行：階段型屈折率分布アレイ導波路による波長分割型光スイッチに関する研究
• 竹谷真司：選択成長InAs量子ドットの発光波長広帯域化に向けての基礎研究
• 福田憲由：熱光学効果を用いたアレイ導波路光スイッチにおけるスイッチング速度に関する基礎研究
• 木暮俊司：階段型屈折率分布アレイ導波路を用いた光スイッチの熱光学効果におけるスイッチング特性改善に関する基礎研究
• 三代川翔：多層化構造に向けたＭOVPE選択成長による量子ドットの波長制御とフォトルミネッセンスに関する基礎研究

2006年度

修士論文

• 山内雄介：MOVPE選択成長によるInAs量子ドットの波長制御に関する研究
• 吉岡太一：選択成長アレイ導波路を用いた波長分割型光スイッチに関する研究
• 米山陽子：結合量子井戸構造CQWの光スイッチ・変調器の 応用に関する研究

学士論文

• 赤石昌隆：ストライプアレイマスクを用いたMOVPE選択成長によるInAs量子ドットの波長制御に関する研究
• 綾部信治：量子ドットの屈折率変化測定に関する基礎研究
• 岩崎寛弥：金属ヒータによる熱光学効果を用いた二モード干渉型光スイッチに関する研究
• 川瀬陽平：アレイ導波路を用いた波長分割光スイッチのスイッチングに関する基礎研究
• 斉藤泰仁：InP基板上自己形成InAs量子ドットの作製に関する基礎研究
• 清水　優：階段型屈折率分布アレイ導波路を用いた光スイッチの消費電力低減に関する研究
• 松本寛万：階段型屈折率分布アレイ導波路を用いた波長分割光スイッチの数値解析

2005年度

博士論文

• 川北泰雅：Research on Semiconductor Optical Waveguide Array Fabricated by Selective MOVPE Growth

修士論文

• 岩渕裕樹：マッハツェンダー干渉計を用いた半導体全光スイッチに関する基礎研究
• 岡本理志：MOVPE選択成長によるInAs量子ドットの作製に関する研究
• 栗橋鉄平：GaInAs/InP MQW 構造を用いた二モード干渉型光スイッチに関する研究
• 町田大輔：選択成長導波路アレイを用いた光スイッチに関する研究
• 山本純也：InP基板上InAs量子ドット多層構造に関する研究

学士論文

• 石戸　亮：マッハツェンダー型光スイッチの屈折率変化測定に関する基礎研究
• 鈴木昌三郎：熱光学効果を用いた二モード干渉型光スイッチの研究
• 浜中謙太：選択成長アレイ導波路の偏波無依存化構造に関する基礎研究
• 真木大智：AFM解析と低温PLによるストライプアレイマスク選択成長QDの形状・密度制御に関する基礎研究
• 山村崇弘：結合量子井戸構造（CQW）における電界印加による吸収と屈折率変化

2004年度

修士論文

• 川合 陽：MOVPE選択成長法によるアレイ導波路の成長条件依存性
• 下田屋　卓：MOVPE選択成長屈折率分布アレイ導波路を用いた光偏向器の検討
• 廣瀬和義：InP(100)基板上の自己形成InAs量子ドットの光学特性
• 福田秀明：二モード干渉導波路を用いた半導体全光スイッチの検討

学士論文

• 伊藤嘉高：MOVPE選択成長を用いた 全光スイッチにおける非線形吸収・屈折率測定
• 大川達也：フォトニック結晶を用いた 光導波路の基礎研究
• 久保田亮：InAs/InP量子ドットの径および高さの均一化に向けた基礎研究
• 杉谷拓郎：量子ドットレーザ実現に向けた多層構造の検討
• 中島直人：MOVPE選択成長アレイ導波路におけるGa組成の推定
• 増子　順：マッハ・ツェンダー干渉計型 全光スイッチにおける屈折率変化の推定
• 山内雄介：ストライプアレイマスクを用いた選択成長によるS-Kドットの形状・密度制御に関する研究
• 吉岡太一：選択成長アレイ導波路を用いた波長分波器の特性改善に関する研究
• 米山陽子：電界印加型TMI光スイッチにおける導波路設計とその試作

2003年度

修士論文

• 石原義之：GaInAs/InP MQW構造アレイ導波路を用いた波長分器に関する研究
• 磯山啓明：窒化物半導体を利用した光デバイスへの応用に向けた研究
• 結城 武彦：MOVPE選択成長法を用いた全光スイッチに関する研究

学士論文

• 岩渕裕樹：GaInAs/InP MQW構造を用いた全光スイッチに関する基礎研究
• 岡本理志：InP(100)基板上の自己形成InAs量子ドットのキャップ層の平坦化に関する基礎研究
• 菊池正恭：Ⅲ族窒化物半導体を用いた光デバイスに関する基礎研究
• 栗橋鉄平：MOVPE選択成長法を用いた光スイッチに関する基礎研究
• 塩田倫也：MOVPE成長InAs/InP(001)自己形成量子ドットにおけるPL強度・波長に関する基礎研究
• 深尾直樹：GaInAs/InP MQW構造アレイ導波路を用いた波長分波器に関する基礎研究
• 町田大輔：光スイッチの実現に向けた階段型屈折率分布アレイ導波路を用いた光偏向器に関する研究
• 山本純也：InP基板上自己形成InAs量子ドットの量子ドット形状に関する基礎研究

2002年度

修士論文

• 川北泰雅：階段型屈折率分布アレイ導波路を用いた波長分割光スイッチに関する研究
• 後藤芳男：窒化物半導体を用いた光導波デバイスに関する研究
• 福岡竜二：InP基板上の自己形成InAs量子ドットのサイズ・密度制御に関する研究
• 森口裕亮：MOVPE選択成長を用いたアレイ導波路に関する研究

学士論文

• 川合 陽：MOVPE選択成長法におけるアレイ導波路作製に関する基礎研究
• 齋藤崇好：スラブ領域を設けた階段型屈折率分布アレイ導波路の導波測定に関する基礎研究
• 下田屋　卓：階段型屈折率分布アレイ導波路を用いた光偏向器に関する基礎研究
• 福田秀明：半導体光増幅器を用いた交差型全光スイッチに適した構造に関する基礎研究
• 平井　賢：InP基板上の自己形成InAs量子ドットの作製に関する基礎研究

2001年度

修士論文

• 木原達哉：有機金属気相成長を用いた選択成長アレイ導波路に関する研究
• 中山佳英：半導体量子井戸構造を用いた全光学型光スイッチに関する研究
• 三木一憲：アレイ導波路を用いた半導体光偏向器に関する研究
• 山崎功一朗v4光波混合波長変換素子のための自己形成InAs量子ドットに関する研究

学士論文

• 石原義之：アレイ導波路を用いた光偏向器の作製に関する基礎研究
• 磯山啓明：長波長域におけるAlxGa1-xNの光学特性に関する基礎研究
• 品川裕司：InAs量子ドットの光学的評価に関する基礎研究
• 結城武彦：全光交差型光スイッチの 設計および試作に関する基礎研究

2000年度

修士論文

• 高野洋平：InP-AlAs酸化膜直接貼付を用いた光制御FETの研究

学士論文

• 岡野貴広：アレイ導波路を用いた光偏向器の作製に関する基礎研究
• 川北泰雅：アレイ導波路型光偏向器のための多モード干渉素子に関する研究
• 福岡竜二：量子ドット構造を用いた半導体レーザ増幅器に関する基礎研究
• 森口裕亮：選択成長によるアレイ導波路の波長分割型光スイッチに関する基礎研究

1999年度

修士論文

• 新田雄一：選択成長法を用いた新型光偏向器に関する研究
• Satrusajang　Ratapon：櫛型電極を用いた導波路型光偏向器に関する研究

学士論文

• 有本 勇：直接貼付を用いた新型光制御FETの基礎研究
• 木原達哉：選択成長によるアレイ導波路の作製に関する基礎研究
• 櫻井啓匡：光偏向素子の遠視野像測定に関する基礎研究
• 須田浩章：選択成長を用いたアレー導波路の波長制御に関する基礎研究
• 松本 覚：櫛形偏向器に関する基礎研究
• 三木一憲：アレイ導波路を用いた光偏向器の数値解析に関する基礎研究

1998年度

学士論文

• 高野洋平：光制御ＣＭＯＳの基礎研究
• 杉澤雄也：選択成長のバンドギャップ制御を用いたアレイ型集積デバイスに関する基礎研究
• 吉田聖書：陽極酸化法を用いたナノ構造形成に関する基礎研究
• 山本裕也：新型光偏向器の提案とその基礎研究

1997年度

修士論文

• 新井将之：有機金属気相成長(MOVPE)法を用いたGaInAsP系結晶成長に関する研究
• 小林隆史：歪量子井戸における電気光学効果の理論解析
• 佐久間剛：導波路型光偏向素子に関する研究
• 島根　誉：アトムビームエッチングを用いた多重反射型光スイッチの試作に関する研究
• 山縣智成：光制御MOSFETに関する研究

学士論文

• 木下和敏：直接貼り付け技術を用いた光制御MOSFETの試作に関する基礎研究
• 櫻井 幹：光制御MOSFETの動特性測定に関する基礎研究
• 新田雄一：有機金属気相成長法によるInAsドット成長に関する基礎研究
• Satrusajang　Ratapon：櫛形光偏向器の試作に関する基礎研究

1996年度

修士論文

• 酒井崇幸：直接貼付技術を用いた光制御FETに関する研究

学士論文

• 天野史章：アトムビームエッチングによるInPの微細加工に関する基礎研究
• 梅田泰仁：EB露光法を用いた微細描画に関する基礎研究
• 高 学廉：量子井戸構造における三次非線形感受率の理論解析
• 坂田和昭：直接貼付技術を用いた集積型光制御MOSFETに関する基礎研究
• 武居靖大：集積型光制御HEMTに関する基礎研究
• 本吉慎一郎：導波路型光偏向器の数値解析と試作に関する基礎研究

1995年度

修士論文

• 船本憲司：アトムビームを用いたドライエッチングプロセスに関する研究

学士論文

• 新井将之：メサエッチングと陽極化成酸化法を用いたGaInAsP/InP極微構造導波路形成に関する基礎研究
• 小林隆史：FD-BPMによる光偏向器の数値解析
• 佐久間剛：GaAs MESFETの性能向上に関する基礎研究
• 島根 誉：アトムビームエッチング装置を用いたドライエッチングに関する研究
• 比嘉　基：RTAによるn-GaAsへのZn拡散
• 山縣智成：光制御MOSFETの特性向上に関する基礎研究

1994年度

修士論文

• 清水行男：光制御FETの作製と動作特性に関する研究

学士論文

• 網代　孝：電解エッチングを用いたGaAs極微構造形成に関する基礎研究
• 清田　要：面型光偏向器のBPMを用いた解析
• 酒井崇幸：異種半導体基板の直接貼付技術を用いた光制御FETの試作
• 鈴木将昭：光制御MOSFETの作製に関する基礎研究
• 二川隆宏：GaAs　MESFETの性能向上に関する基礎研究
• 山下益功：MESFET型光制御FETの試作に関する基礎研究

1993年度

学士論文

• 池上英之：異種半導体直接貼付基板の作製に関する基礎研究
• 船本憲司：多孔質シリコンに関する基礎研究　形成原理と発光特性
• 古野貴嗣：電界遮蔽効果を用いた光ゲートFETに関する基礎研究
• 矢作雅之：GaAs　MESFETの性能向上に関する基礎研究

1992年度

学士論文

• 奥村　剛：電解エッチングを用いたGaAs微細構造形成に関する基礎研究
• 高橋敬司：電界遮蔽効果を用いた光ゲートFETに関する基礎研究
• 藤田寛司：GaAs　MESFETの作製プロセスに関する基礎研究