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下村研究室は光集積回路実現に関する研究を行っています。   ▷English

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4号館276A室

これまでの研究発表PAPER

原著論文

  • F. Kawashima, R. Kobie, Y. Suzuki, and K. Shimomura, "Selective MOVPE growth of InAs QDs using double-cap procedure," J. Crystal Growth, vol.318, pp.1109-1112, 2011.
  • Y. Saito, T. Okawa, M. Akaishi, and K. Shimomura, "Wideband wavelength electroluminescence from InAs/InP QDs using double-cap procedure by MOVPE selective area growth," J. Crystal Growth, vol.310, issue 23, pp.5073-5076, Nov. 2008.
  • M. Akaishi, T. Okawa, Y. Saito, and K. Shimomura, "InAs/InP QDs with GaxIn1-xAs cap layer by a double-cap procedure using MOVPE selective area growth," J. Crystal Growth, vol.310, issue 23, pp.5069-5072, Nov. 2008.
  • M. Akaishi, T. Okawa, Y. Saito and K. Shimomura, "Wide emission wavelength InAs/InP quantum dots grown by double-capped procedure using MOVPE selective area growth," IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics, vol.14, no.4, pp.1197-1203, Aug. 2008.
  • Y. Shimizu, S. Kawabe, H. Iwasaki, T. Sugio, and K. Shimomura, "Wavelength switching using GaInAs/InP MQW variable refractive-index arrayed waveguides by thermo-optic effect," IEICE Trans. Electron., vol.E91-C, no.7, pp.1110-1116, July 2008.
  • T. Yoshioka, Y. Kawakita, A. Kawai, T. Okawa and K.Shimomura, "Simple estimation of strain distribution in narrow-stripe waveguide array fabricated by selective MOVPE",J. Crystal Growth, vol.298, pp.676-681, Jan. 2007.
  • Y. Yamauchi, S. Okamoto, T. Okawa, Y. Kawakita, J. Yoshida and K. Shimomura, "Controlling emission wavelength of double-capped InAs quantum dots by selective MOVPE employing stripe mask array," J. Crystal Growth, vol.298, pp.578-581, Jan. 2007.
  • T. Okawa, Y. Yamauchi, J. Yamamoto, J. Yoshida and K. Shimomura, "Growth temperature and InAs supply dependences of InAs quantum dots on InP (0 0 1) substrate ", J. Crystal Growth, vol.298, pp.562-566, Jan. 2007.
  • Y.Kawakita, S.Shimotaya, D.Machida and K.Shimomura, "Wavelength demultiplexing and optical deflector in variable refractive-index waveguide array based on selectively grown GaInAs/InP MQW structure," IEICE Trans. Electron., vol.E88-C, no.5, pp.1013-1019, May 2005.
  • K.Shimomura and Y.Kawakita, "Wavelength selective switch using arrayed waveguides with linearly varing refractive index distribution," Photonics Based on Wavelength Integration and Manipulation, IPAP Books 2, pp.341-354, Feb. 2005.
  • Y.Kawakita, S.Shimotaya, A.Kawai, D.Machida, and K.Shimomura, "Wavelength demultiplexer using GaInAs-InP MQW-based variable refractive-index arrayed waveguides fabricated by selective MOVPE", IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics, vol.11, no.1, pp.211-216, Jan. 2005.
  • Y.Kawakita, T.Saitoh, A.Kawai, S.Shimotaya, and K.Shimomura, "Arrayed waveguides with linearly varying refractive index distribution and its application for wavelength demultiplexer", J. Crystal Growth,vol.272, pp. 582-587, Dec. 2004.
  • Y.Kawakita, S.Shimotaya, D.Machida and K.Shimomura, "Four-channel wavelength demultiplexing with 25-nm spacing in variable refractive-index arrayed waveguides ", Electron. Lett.,vol.40, no.14, pp.900-901, July 2004.
  • Y.Kawakita, T.Saitoh, S.Shimotaya, and K.Shimomura, "A novel straight arrayed waveguide grating with linearly varying refractive index distribution," IEEE Photon. Tech. Lett., vol.16, no.1, pp.144-146, Jan. 2004.
  • Y.Moriguchi, T.Kihara, and K.Shimomura, "High growth enhancement factor in arrayed waveguides by MOVPE selective area growth," J. Crystal Growth, vol. 248, pp.395-399, 2003.
  • K.Miki, Y.Kawakita, T.Kihara, and K.Shimomura, "Numerical analysis of 1.55 um wavelength optical deflector using arrayed waveguide with staircase like refractive index distribution," Electronics and Communications in Japan, Part2, vol.86, no.4, pp.1-9, Apr. 2003.
  • 三木一憲,川北泰雅,木原達哉,下村和彦, 「階段型屈折率分布アレイ導波路を用いた1.55um帯光偏向器に関する理論解析」, 電子情報通信学会論文誌, C-I, vol.J85-C, No.8, pp.728-736, 平成14年8月
  • T.Kihara, Y.Nitta, H.Suda, K.Miki, and K.Shimomura, "Wavelength control of arrayed waveguide by MOVPE selective area growth," J. Crystal Growth, vol.V221, pp.196-200, Dec. 2000.
  • R.Satrusajang, Y.Nitta, and K.Shimomura, "Analysis and fabrication of GaInAs/InP MQW graded refractive index-type optical deflector," Electronics and Communications in Japan, vol.82, no.12, pp.21-29, 1999.
  • K.Shimomura and T.Yamagata, "Novel integrated photodetector on Si LSI circuits - Optically Controlled MOSFET," IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics, vol.5, no.2, pp.178-183, March/April 1999.
  • Y.Nitta, T.Yamagata, and K.Shimomura, "Gate length dependence of optical characteristics in optically controlled MOSFET," Japan. J. Appl. Phys., vol.38, no.4B, pp.2580-2585, Apr. 1999.
  • ラタポン・サットルサヤエン,新田雄一,下村和彦, 「GaInAs/InP多重量子井戸構造屈折率分布型光偏向素子の解析と試作」, 電子情報通信学会論文誌, C-I, vol. J82-C-I, no.2, pp.82-90, 1999年2月
  • T.Sakai and K.Shimomura, "High On/Off ratio and responsivity in integrated optically controlled HEMT," IEEE Photon. Tech. Lett., vol.10, no.3, pp.418-420, Mar. 1998.
  • T.Yamagata and K.Shimomura, "High responsivity in integrated optically controlled Metal-Oxide Semiconductor field-effect transistor using directly bonded SiO2-InP," IEEE Photon. Tech. Lett., vol.9, no.8, pp.1143-1145, Aug. 1997.
  • T.Sakai and K.Shimomura, "High responsivity in an optically controlled field-effect transistor using the direct wafer bonding technique," Japan. J. Appl. Phys., vol.36, no.3B, pp.1481-1486, Mar. 1997.
  • T.Yamagata and K.Shimomura, "Optically controlled Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor operated by long-wavelength light," Japan. J. Appl. Phys., vol.35, no.12A, pp.L1589-L1592, Dec. 1996.
  • T.Sakai and K.Shimomura, "Bonding temperature dependence of optically controlled field-effect transistor fabricated by direct wafer bonding technique," Japan. J. Appl. Phys., vol.35, no.7A, pp.L835-L837, July 1996.
  • Y.Shimizu and K.Shimomura, "Current modulation characteristics in optically-controlled field-effect transistor," IEEE Photon. Tech. Lett., vol.6, no.11, pp.1338-1340, Nov. 1994.
  • Y.Shimizu and K.Shimomura, "Numerical analysis of current modulation in optically-controlled field-effect transistor," Japan. J. Appl. Phys., vol.33, no.1B, pp.L109-L112, Jan. 1994
  • K.Shimomura and S.Arai, "Semiconductor waveguide optical switches and modulators," Fiber and Integrated Optics, Taylor & Francis, vol.13, no.1, pp.65-100, Jan. 1994
  • K.Shimomura, "Proposal of field-effect type photodetector using field-screening effect in the absorption of light," Japan. J. Appl. Phys., vol.31, no.12B, pp.L1757-L1759, Dec. 1992.

解説

  • K.Shimomura, "Optically controlled field effect transistor," Recent Res. Devel. In Applied Phys., vol.2, pp.33-42, 1999.
  • 下村和彦, 「光制御CMOSの開発」, 光アライアンス, 第10巻,第4号,pp.32-36, 平成11年4月
  • 下村和彦, 「省電力化を実現するデバイス技術の現状と展望」, 電子技術, vol.40, no.4, pp.8-14, 平成10年3月
  • 下村和彦, 「高性能光制御MOSFETの開発」, 機能材料, vol.17, no.7, pp.30-36, 平成9年7月

国際会議

  • T. Aoyagi, T. Tanimura, S. Yanagi, Y. Yamazaki and K. Shimomura, "Wavelength demultiplexing and carrier induced switching in variable index arrayed waveguides", 16th OptoElectronics and Communications Conference (OECC2011), Kaohsiung, Taiwan 7P3_098, July 2011.
  • T. Makino, T. Tanimura, S. Yanagi, and K. Shimomura, "Random switching of wavelength demultiplexed light in variable arrayed waveguide," 16th OptoElectronics and Communications Conference (OECC2011), Kaohsiung, Taiwan 7P3_097, July 2011.
  • S. Yanagi, Y. Murakami, T. Aoyagi, Y. Yamazaki and K. Shimomura "Switching characteristics in variable index arrayed waveguides using triangular heater", 16th OptoElectronics and Communications Conference (OECC2011), Kaohsiung, Taiwan 7E2_3, July 2011.
  • M. Hirooka, F. Kawashima, Y.Iwane, T.Saegusa, and K. Shimomura, "Strain control using GaxIn1-xAs second cap layer during double-cap procedure in InAs / InP QDs structure", 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2011), Berlin, Germany, P19, May 2011.
  • Y. Iwane, F. Kawashima, M. Hirooka, T. Saegusa, and K. Shimomura, "InAs/InP QDs grown by selective MOVPE growth using double-cap procedure for broadband LED improved p-cladding layer", 38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2011), Berlin, Germany, P3.22, May 2011.
  • F. Kawashima, R. Kobie, Y. Suzuki, and K. Shimomura, "Selective MOVPE growth of InAs QDs using double-cap procedure," The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16), Beijing, China, HJ1 (Invited), Aug. 2010.
  • Y.Murakami, T.Sugio, T.Tanimura, T.Makino, and K.Shimomura, "Wavelength switching in variable index arrayed waveguides using Ti/Au thin film heater", 15th OptoElectronics and Communications Conference (OECC2010), Sapporo, Japan 8E1-5, July 2010.
  • T.Tanimura, T.Sugio, Y.Murakami, T.Aoyagi, and K.Shimomura, "Numerical calculation of wavelength switching in index-varied array waveguide", 15th OptoElectronics and Communications Conference (OECC2010), Sapporo, Japan 7P-64, July 2010.
  • T. Sugio, T. Aoyagi, T. Tanimura, Y. Murakami and K. Shimomura, "Switching characteristics in variable refractive-index waveguide array by carrier injection", 22nd Indium Phosphide and Related Materials conference (IPRM 2010), Takamatsu, Japan, WeP21, June 2010.
  • K. Shimomura, Y. Suzuki, Y. Saito, and F. Kawashima, "InAs/InP QDs broadband LED using selective MOVPE growth and double-cap procedure," 22nd Indium Phosphide and Related Materials conference (IPRM 2010), Takamatsu, Japan, TuA2-3 (Invited), June 2010.
  • H. Iwasaki, T. Sugio, T. Tanimura, K. Takeuchi, and K. Shimomura, "Waveguide design of variable refractive-index waveguide array demultiplexer and wavelength selective switch", The 14th OptoElectronics and Communications Conference (OECC 2009), Hong Kong, ThLP31, July 2009.
  • Y. Murakami, Y. Shimizu, T. Sugio, and K. Shimomura, "Switching characteristics in variable index arrayed waveguide wavelength selective switch", The 14th OptoElectronics and Communications Conference (OECC 2009), Hong Kong, ThA3, July 2009.
  • Y. Saito, M. Akaishi, T. Inoue, Y. Suzuki, F. Kawashima, and K. Shimomura, "InAs QDs broadband LED using double-cap procedure and selective MOVPE growth," The 14th OptoElectronics and Communications Conference (OECC 2009), Hong Kong, WI1, July 2009.
  • Y. Shimizu, H. Iwasaki, T. Sugio, Y. Murakami and K. Shimomura, "Wavelength Selective Switch using GaInAs/InP MQW Variable Index Arrayed Waveguides," The Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2009), Baltimore, USA, JTuD48, June 2009.
  • T. Sugio, M. Akaishi, and K. Shimomura, "Carrier induced refractive index change in InAs quantum dots on InP (001) substrates," 2008 International Nano-Optoelectronics Workshop (iNOW 2008), Lake Saiko, Japan, Poster Session 4, P28, Aug. 2008.
  • H. Iwasaki, Y. Shimizu, and K. Shimomura, "Switching characteristics in wavelength switch using selectively grown waveguide array by thermooptic effect," 2008 International Nano-Optoelectronics Workshop (iNOW 2008), Lake Saiko, Japan, Poster Session 3, P30, Aug. 2008.
  • M. Akaishi, Y. Saito, and K. Shimomura, "Dependency of InAs QDs using GaxIn1-xAs second cap layer in the Double-cap procedure," 2008 International Nano-Optoelectronics Workshop (iNOW 2008), Lake Saiko, Japan, Poster Session 3, P14, Aug. 2008.
  • K. Shimomura, "Selective MOVPE grown semiconductor optical waveguide array and its application for optical devices," 2008 International Nano-Optoelectronics Workshop (iNOW 2008), Lake Saiko, Japan, Session Sa1 (Invited), Aug. 2008.
  • Y. Saito, T. Okawa, M. Akaishi, and K. Shimomura, "Wideband wavelength electro luminescence from InAs/InP QDs using double-cap procedure by MOVPE selective area growth," 14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, Metz, France, Th-B1.2, June 2008.
  • M. Akaishi, T.Okawa, Y.Saito, and K. Shimomura, "InAs/InP QDs using GaxIn1-xAs cap layer in double-cap procedure by MOVPE selective area growth," 14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, Metz, France, Tu-P.1, June 2008.
  • Y. Shimizu, M. Mogi, T. Yoshioka, and K. Shimomura, "Wavelength switching using GaInAs/InP MQW variable index arrayed waveguides by thermo-optic effect," 12th Optoelectronics and Communications Conference (OECC/IOOC 2007), Yokohama, Japan, 11D1-2, July 2007.
  • M. Akaishi, Y. Yamauchi, T. Okawa, Y. Saito, J. Yoshida, K. Shimomura, "Wide bandgap wavelength control of InAs/InP quantum dots array waveguides by selective MOVPE", 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Matsue, Japan, PA24, May 2007.
  • T.Yoshioka, Y.Kawakita, D.Machida, and K.Shimomura, "Improvements of crosstalk in variable-refractive index waveguide array demultiplexer," Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2006), Long Beach, California, USA, CWK4, May 2006.
  • T.Yoshioka, Y.Kawakita, T.Okawa, A.Kawai and K.Shimomura, "Simple estimation of strain distribution in narrow stripe waveguide array fabricated by selective MOVPE," 13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, Miyazaki, Japan, We-P.55, May 2006.
  • Y.Yamauchi, S.Okamoto, T.Okawa, Y.Kawakita, J.Yoshida and K.Shimomura, "Controlling emission wavelength of double-capped InAs quantum dots by selective MOVPE employing stripe mask array," 13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, Miyazaki, Japan, Tu-P.90, May 2006.
  • T.Okawa, Y.Yamauchi, J.Yamamoto, J.Yoshida and K.Shimomura, "Size fluctuation dependence on growth temperature and supply of InAs quantum dots on InP(001) substrates," 13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, Miyazaki, Japan, Tu-P.86, May 2006.
  • Y.Yamauchi, Y.Kawakita, S.Okamoto, J.Yoshida, and K.Shimomura, "Size and Density Control of InAs Quantum Dots by Selective MOVPE Growth Employing Stripe Mask Array and Composition-Varied GaInAs Layer," LEOS 2005, Sydney Australia, WT3, Oct. 2005.
  • S.Okamoto, Y.Kawakita, K.Hirose, Y.Yamauchi, and K.Shimomura, "Size and Density Control of InAs Quantum Dots by Selective MOVPE Growth Using Narrow Stripe Mask Array", IQEC and CLEO-PR 2005, Tokyo Japan, JWAB3-P3, July 2005.
  • Y.Kawakita, S.Shimotaya, D.Machida, and K.Shimomura, "Optical deflector using arrayed waveguides fabricated by MOVPE selective area growth ", 9th OptoElectronics and Communications Conference / 3rd Conference on Optical Internet (OECC/COIN2004), Kanagawa, Japan, 13P-118, July 2004.
  • H.Fukuda, T.Yuuki, T.Kurihashi, Y.Iwabuchi, and K.Shimomura, "Wavelength demultiplexing characteristic in Two-mode interference optical device by MOVPE selective area growth", 9th OptoElectronics and Communications Conference / 3rd Conference on Optical Internet (OECC/COIN2004), Kanagawa, Japan, 13P-117, July 2004.
  • Y.Kawakita, S.Shimotaya, D.Machida, and K.Shimomura, "4-channel wavelength demultiplexing in GaInAs/InP MQW-based arrayed waveguides", 9th OptoElectronics and Communications Conference / 3rd Conference on Optical Internet (OECC/COIN2004), Kanagawa, Japan, 14F1-4, July 2004.
  • Y.Kawakita, T.Saitoh, A.Kawai, S.Shimotaya, and K.Shimomura, "Arrayed waveguides with linearly varying refractive index distribution and its application for wavelength demultiplexer", 2004 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Kagoshima, Japan, WA2-5, June 2004.
  • K.Hirose , S.Okamoto, J.Yamamoto, T.Shioda, and K.Shimomura, "Flat surface growth conditions of InP capping layer over InAs Quantum Dots on (001)InP Substrate", 12th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, Lahaina, Maui, Hawaii, Quantum Structures Poster Session (11), June 2004.
  • Y.Kawakita, A.Kawai, S.Shimotaya, and K.Shimomura, "Selective MOVPE growth of tilted arrayed waveguides from [011] direction," 12th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, Lahaina, Maui, Hawaii, Growth Issues Poster Session (30), June 2004.
  • Y.Kawakita, S.Shimotaya, T.Saitoh, and K.Shimomura, "Wavelength demultiplexer using arrayed waveguides with linearly varying refractive index distribution," 2004 Conference on Lasers & Electro-Optics, San Francisco, California, USA, CThT8, May 2004.
  • Y.Kawakita, Y.Moriguchi, and K.Shimomura, "Wavelength demultiplexing in straight arrayed waveguides with staircase-like refractive index distribution," Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2003), Baltimore, Maryland, USA, CWA44, June 2003.
  • R.Fukuoka, K.Yamazaki and K.Shimomura, "Greatly size reduction of InAs Quantum Dots on (001)InP substrate," 11th International Conference on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (ICMOVPE XI), Berlin, Germany, Thu-P12, June 2002.
  • Y.Moriguchi, T.Kihara, and K.Shimomura, "High growth enhancement factor in arrayed waveguides by MOVPE selective area growth," 11th International Conference on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (ICMOVPE XI), Berlin, Germany, Wed-F3, June 2002.
  • Y.Kawakita and K.Shimomura, "A novel wavelength dividing and switching device using arrayed waveguide," Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2002), Long Beach, California, USA, CMV2, May 2002.
  • Y.Kawakita, T.Kihara, K.Miki, and K.Shimomura, "Proposal of Arrayed Waveguides Optical Deflector and Wavelength Divide Optical Switch ," SPIE's International Symposium Optoelectronics 2002, San Jose, California, USA, 4640-54, Jan. 2002.
  • K.Yamazaki, R.Fukuoka, and K.Shimomura, "Fabrication of quantum dots for wavelength converter using four-wave mixing", 2001 International Conference on Solid State Devices and Materials, E-3-5, Sept. 2001.
  • Y.Nitta, T.Kihara, H.Suda, K.Miki, and K.Shimomura, "Wavelength control of arrayed waveguide by MOVPE selective area growth," The Tenth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Sapporo, Japan, Tu-P11, June 2000.
  • R.Satrusajang, H.Yamamoto, and K.Shimomura, "Novel waveguide GaInAs/InP MQW optical deflector using comb like electrodes," 1999 International Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo, Japan, E-6-2, Sept. 1999.
  • Y.Nitta, T.Yamagata, Y.Takano and K.Shimomura, "1850A/W responsivity in optically controlled MOSFET by illumination of 1.5um wavelength light," Proceedings of SPIE, vol.3630, pp.212-221, 1999.
  • R.Satrusajang, Y.Nitta, and K.Shimomura, "Steering characteristics of GaInAs/InP MQW comb type waveguide optical deflector," Proceedings of SPIE, vol.3620, pp.356-365, 1999.
  • R.Satrusajang, Y.Nitta, and K.Shimomura, "Steering characteristics of GaInAs/InP MQW comb type waveguide optical deflector," SPIE's International Symposium Optoelectronics '99, San Jose, California, USA, 3630-25, Jan. 1999.
  • Y.Nitta, T.Yamagata, Y.Takano and K.Shimomura, "1850A/W responsivity in optically controlled MOSFET by illumination of 1.5um wavelength light," SPIE's International Symposium Optoelectronics '99, San Jose, California, USA, 3620-45, Jan. 1999.
  • R.Fukuoka, K.Yamazaki and K.Shimomura, "Greatly size reduction of InAs Quantum Dots on (001)InP substrate," 11th International Conference on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (ICMOVPE XI), Berlin, Germany, Thu-P12, June 2002.
  • Y.Moriguchi, T.Kihara, and K.Shimomura, "High growth enhancement factor in arrayed waveguides by MOVPE selective area growth," 11th International Conference on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (ICMOVPE XI), Berlin, Germany, Wed-F3, June 2002.
  • Y.Kawakita and K.Shimomura, "A novel wavelength dividing and switching device using arrayed waveguide," Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2002), Long Beach, California, USA, CMV2, May 2002.
  • Y.Kawakita, T.Kihara, K.Miki, and K.Shimomura, "Proposal of Arrayed Waveguides Optical Deflector and Wavelength Divide Optical Switch ," SPIE's International Symposium Optoelectronics 2002, San Jose, California, USA, 4640-54, Jan. 2002.
  • K.Yamazaki, R.Fukuoka, and K.Shimomura, "Fabrication of quantum dots for wavelength converter using four-wave mixing", 2001 International Conference on Solid State Devices and Materials, E-3-5, Sept. 2001.
  • Y.Nitta, T.Kihara, H.Suda, K.Miki, and K.Shimomura, "Wavelength control of arrayed waveguide by MOVPE selective area growth," The Tenth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Sapporo, Japan, Tu-P11, June 2000.
  • R.Satrusajang, H.Yamamoto, and K.Shimomura, "Novel waveguide GaInAs/InP MQW optical deflector using comb like electrodes," 1999 International Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo, Japan, E-6-2, Sept. 1999.
  • Y.Nitta, T.Yamagata, Y.Takano and K.Shimomura, "1850A/W responsivity in optically controlled MOSFET by illumination of 1.5um wavelength light," Proceedings of SPIE, vol.3630, pp.212-221, 1999.
  • R.Satrusajang, Y.Nitta, and K.Shimomura, "Steering characteristics of GaInAs/InP MQW comb type waveguide optical deflector," Proceedings of SPIE, vol.3620, pp.356-365, 1999.
  • R.Satrusajang, Y.Nitta, and K.Shimomura, "Steering characteristics of GaInAs/InP MQW comb type waveguide optical deflector," SPIE's International Symposium Optoelectronics '99, San Jose, California, USA, 3630-25, Jan. 1999.
  • Y.Nitta, T.Yamagata, Y.Takano and K.Shimomura, "1850A/W responsivity in optically controlled MOSFET by illumination of 1.5um wavelength light," SPIE's International Symposium Optoelectronics '99, San Jose, California, USA, 3620-45, Jan. 1999.
  • K.Shimomura, T.Sakai, and Y.Nitta, "12dB current modulation by 1.55μm light irradiation in integrated optically controlled HEMT," International Topical Meeting on Microwave Photonics (MWP'98), Princeton, New Jersey, TuD5, Oct. 1998.
  • T.Yamagata, Y.Nitta, and K.Shimomura, "Gate length dependence of optical characteristics in optically controlled MOSFET," 1998 International Conference on Solid State Devices and Materials, Hiroshima, Japan, C-6-6, Sept. 1998.
  • T.Yamagata, K.Kinoshita, M.Sakurai, and K.Shimomura, "Current modulation characteristics in directly-bonded optically controlled MOSFET," Third Optoelectronics and Communications Conference, Chiba, Japan, 14P-31, July 1998.
  • T.Sakuma, R.Satrusajang, and K.Shimomura, "Deflection characteristics of the InGaAs/InP MQW waveguide optical deflector," Third Optoelectronics and Communications Conference, Chiba, Japan, 14P-27, July 1998.
  • T.Nagano, M.Haraguchi, T.Morita, M.Arai, H.Shinbo, I.Nomura, A.Kikuchi, K.Shimomura, and K.Kishino, "High-reflectance 500-600nm range MgZnCdSe distributed Bragg reflectors and quantum confined stark effect in ZnCdSe/MgZnCdSe multiple quantum wells on InP substrates," The 8th International Conference on II-VI Compounds, Grenoble, France, Th-P78, Aug. 1997.
  • T.Sakai, Y.Takesue, and K.Shimomura, "High On/Off ratio (12dB) and responsivity (300A/W) in integrated optically controlled HEMT," 2nd Optoelectronics and Communications Conference, Seoul, Korea, 10C2-5, July 1997.
  • T.Yamagata, T.Sakai, K.Sakata, and K.Shimomura, "High current modulation in optically controlled MOSFET using direct-bonded SiO2-InP," International Topical Meeting on Microwave Photonics, Kyoto, Japan, WE2-2, Dec. 1996.
  • T.Sakai and K.Shimomura, "High responsivity in optically-controlled field-effect transistor using direct wafer bonding technique," 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, Japan, D-4-2, Aug. 1996.
  • T.Kobayashi and K.Shimomura, "Numerical analysis of optical deflector using FD-BPM," 1996 International Topical Meetings on Photonics in Switching (PS'96), Sendai, Japan, PWC24, Apr. 1996.
  • Y.Shimizu, M.Suzuki, K.Funamoto, and K.Shimomura, "Optical properties of an optically-controlled Metal-Oxide-Semiconductor field-effect transistor," The Pacific Rim Conference on Laser and Electro-Optics (CLEO/Pacific Rim '95), Chiba, Japan, WP3, July 1995.
  • T.Sakai and K.Shimomura, "Fabrication of optically-controlled field-effect transistor using direct wafer bonding technique," 10th Internal Conference on Integrated Optics and Optical Fiber Communication (IOOC-95), Hong Kong, FA3-6, June 1995.
  • K.Funamoto, Y.Shimizu, and K.Shimomura, "New type of optically controlled FET operating at 1.55μm," 15th Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO'95), Baltimore, USA, CWD6, May 1995.



研究会

  • 柳智史, 村上洋介, 山崎勇輝, 下村和彦,  「三角形状ヒータを用いたGaInAs/InP MQW波長スイッチのスイッチング特性」, 電子情報通信学会技術研究報告, OPE2011-2, pp.5-10, 平成23年4月
  • 谷村昴, 杉尾崇行, 村上洋介, 青柳孝典, 下村和彦, 「屈折率分布アレイ導波路における波長スイッチングの解析」, 電子情報通信学会技術研究報告, OPE2010-1, pp.1-6, 平成22年4月
  • 鈴木勇介, 川島史裕, 斉藤泰仁, 下村和彦, 「ダブルキャップ法を用いたMOVPE選択成長によるInAs量子ドット広帯域LED」, 電子情報通信学会技術研究報告, OPE2009-86, pp.63-68, 平成21年8月
  • 杉尾 崇行, 岩崎 寛弥, 谷村 昂, 村上 洋介, 下村 和彦, 「階段型屈折率分布アレイ導波路を用いた波長選択スイッチのBPM解析と試作」, 電子情報通信学会技術研究報告, OPE2009-19, pp.19-23, 平成21年6月
  • 村上洋介, 清水優, 朱蕾, 杉尾崇行, 下村和彦,「熱光学効果型GaInAs/InP MQW波長選択スイッチの4波長スイッチング特性」, 電子情報通信学会技術研究報告, OPE2009-06, 平成21年4月
  • 斉藤泰仁, 赤石昌隆, 大川達也, 下村 和彦, 「量子ドットアレイ導波路の作製とデバイス応用」, 電子情報通信学会技術研究報告, OPE2008-18, 平成20年6月
  • 清水優, 吉岡太一, 茂木瑞穂, 下村和彦, 「選択成長導波路アレイを用いた熱光学効果型波長スイッチ」, 電子情報通信学会技術研究報告, OPE2007-5, pp.23-27, 平成19年4月
  • 茂木瑞穂, 吉岡太一, 清水優, 下村和彦, 「選択成長導波路アレイを用いた熱光学効果光偏向器・光スイッチに関する研究」, 電子情報通信学会技術研究報告, OPE2006-24, 平成18年6月
  • 川北泰雅, 下田屋卓, 町田大輔, 下村和彦, 「選択成長による半導体導波路アレイを用いた波長分波器・光偏向器」, 電子情報通信学会技術研究報告, OPE2004-174, 平成16年12月
  • 川北泰雅, 下田屋卓, 斎藤崇好, 川合陽, 下村和彦, 「選択成長アレイ導波路を用いた波長スイッチングの検討」, 電子情報通信学会技術研究報告, OPE2003-277, 平成16年2月
  • 川北 泰雅, 齋藤 崇好,下田屋 卓,下村 和彦, 「選択成長GaInAs/InP MQW波長分波器の基礎検討」, 電子情報通信学会技術研究報告, 光エレクトロニクス研究会, OPE2003-17, 平成15年5月
  • 川北泰雅, 森口裕亮,下村和彦, 「階段型屈折率分布アレイ導波路における波長分波特性」, 電子情報通信学会技術研究報告, OPE2002-106, 平成14年12月
  • 西本正則,三木一憲,下村和彦, 「アレイ導波路を用いたCWDM用一波分波器の検討」, 電子情報通信学会技術研究報告, 光エレクトロニクス研究会, OPE2002-15, 平成14年5月
  • 川北泰雅,木原達哉,三木一憲,下村和彦, 「アレイ導波路型光スイッチのための多モード干渉素子の設計」, 電子情報通信学会技術研究報告, 光エレクトロニクス研究会, OPE2001-3, 平成13年5月
  • T.Takada, I.Nomura, S.Che, A.Kikuchi, K.Shimomura, and K.Kishino, "Application of wide-gap and high p-dopable BeZnTe II-VI compounds on InP substrates for visible light emitting diodes," International Symposium on Ultra-Parallel Optoelectronics, Kawasaki, Japan, P-6, Feb. 2000.
  • ラタポン・サットルサヤェン,山本裕也,新田雄一,下村和彦, 「櫛型電極を用いた半導体光偏向素子の偏向特性」, 電子情報通信学会技術研究報告, 光エレクトロニクス研究会, OPE99-2, pp.7-12, 平成11年5月
  • R.Satrusajang, Y.Nitta, Y.Yamamoto, and K.Shimomura, "GaInAs/InP MQW comb type waveguide optical deflector," 16th Semiconductor Laser Symposium, Yokohama, Japan, 22, Mar. 1999.
  • 山縣智成,木下和敏,櫻井幹,新田雄一,下村和彦, 「光制御MOSFETにおける光応答特性のゲート長依存性」, 電子情報通信学会技術研究報告, 光エレクトロニクス研究会, OPE98-7, pp.37-42, 平成10年5月
  • T.Yamagata, K.Kinoshita, M.Sakurai, and K.Shimomura, "1850A/W responsivity in optically controlled Metal-Oxide Semiconductor field-effect transistor," The 15th Semiconductor Laser Symposium (International), Yokohama, Japan, D-18, Mar. 1998.
  • 佐久間剛,下村和彦, 「GaInAsP/InP導波路型光偏向器の偏向特性」, 電子情報通信学会技術研究報告, 光エレクトロニクス研究会, OPE97-3, pp.13-18, 平成9年5月
  • T.Yamagata and K.Shimomura, "Integrated optically controlled metal-oxide semiconductor field-effect transistor using directly bonded SiO2-InP," The 14th Semiconductor Laser Symposium (International), Yokohama, Japan, D-20, Mar. 1997.
  • 酒井崇幸,武居靖大,下村和彦, 「集積型光制御HEMTの動作特性」, 電子情報通信学会技術研究報告, レーザ・量子エレクトロニクス研究会, LQE96-154, pp.67-72, 平成9年2月
  • 山縣智成,酒井崇幸,坂田和昭,下村和彦, 「SiO2/InP直接貼付技術を用いた光制御MOSFETの光応答特性」, 電子情報通信学会技術研究報告, 光エレクトロニクス研究会, OPE 96-86, 平成8年10月
  • 酒井崇幸,下村和彦, 「直接貼付光制御FETにおける光応答特性」, 電子情報通信学会技術研究報告, 光エレクトロニクス研究会, OPE96-3, pp.13-18, 平成8年5月
  • M.Arai and K.Shimomura, "Formation of GaInAsP/InP microscopic waveguide using mesa-etching and electrochemical anodization," The 13th Semiconductor Laser Symposium (International), Yokohama, Japan, C-15, Mar. 1996.
  • 山縣智成, 下村和彦, 「光制御MOSFETの試作とその光入射特性」, 電子情報通信学会技術研究報告, 光エレクトロニクス研究会, OPE95-144, LQE-138, pp.55-60, 平成8年2月
  • 小林隆史, 下村和彦, 「FD-BPMによる光偏向器の数値解析」, 電子情報通信学会技術研究報告, 光エレクトロニクス研究会, OPE95-117, pp.37-42, 平成7年12月
  • 下村和彦,清水行男,船本憲司,酒井崇幸, 「光制御電界効果トランジスタ」, 第57回微小光学研究会, 13, 3, pp.61-66, 平成7年7月

国内学会

  • 三枝知充, 岩根優人, 吉田圭佑, 山内雅之, 吉川翔平, 下村和彦, 「選択成長3層InAs量子ドットアレイLEDのPLスペクトルの解析」, 第71回応用物理学学術講演会, 山形大学, 31p-ZN-11, 平成23年8月
  • 柳智史,青柳孝典,谷村昂,下村和彦, 「電界効果GaInAs/InP MQW波長スイッチの2ポート間スイッチング特性」, 第71回応用物理学学術講演会, 山形大学, 31p-ZN-10, 平成23年8月
  • 三枝知充, 川島史裕, 廣岡雅人, 下村和彦, 「InP基板上Ga0.69In0.31Asバッファー層を用いた選択成長InAs量子ドットの発光特性」, 第58回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 27a-P8-6, 平成23年3月
  • 岩根優人, 三枝知充, 廣岡雅人, 川島史裕, 小冷亮太, 下村和彦, 「GaxIn1-xAsセカンドキャップ層を用いたダブルキャップ法InAs/InP量子ドットの発光特性および形状」, 第58回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 24p-BQ-12, 平成23年3月
  • 柳 智史, 山崎 勇輝, 村上洋介, 下村和彦, 「三角ヒーターを用いたGaInAs/InP MQW波長光スイッチの消費電力低減」, 第58回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 24p-KA-3, 平成23年3月
  • 牧野辰則, 谷村昂, 村上洋介, 青柳孝典, 下村和彦, 「階段型屈折率分布アレイ導波路構造におけるランダムスイッチング動作の数値解析」, 第58回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 24p-KA-2, 平成23年3月
  • 青柳孝典, 谷村 昂, 村上洋介, 下村和彦, 「キャリア注入型アレイ導波路におけるスイッチング特性(Ⅱ)」, 第58回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 24p-KA-1, 平成23年3月
  • 村上洋介, 谷村 昂, 青柳孝典, 下村和彦, 「Ti/Auヒーターを用いた選択成長アレイ導波路における波長スイッチング特性」, 第71回応用物理学学術講演会, 長崎大学, 14p-G-2, 平成22年9月
  • 川島史裕, 鈴木勇介, 井上朋紀, 下村和彦, 「LP-MOVPEによる選択成長とダブルキャップ法およびバッファ層組成変化を用いた広帯域量子ドットLEDの作製」, 第57回応用物理学関係連合講演会, 19p-E-18, 平成22年3月
  • 杉尾崇行, 青柳孝典, 谷村昂, 下村和彦, 「キャリア注入による階段型屈折率分布アレイ導波路のスイッチング特性」, 第57回応用物理学関係連合講演会, 17a-N-3, 平成22年3月
  • 谷村昂, 杉尾崇行, 村上洋介, 青柳孝典, 下村和彦, 「階段型屈折率分布アレイ導波路構造波長選択スイッチにおけるスイッチング動作の数値解析」, 第57回応用物理学関係連合講演会, 17a-N-2, 平成22年3月
  • 村上 洋介, 杉尾 崇行, 谷村 昂, 下村 和彦, 「熱光学効果型GaInAs/InP MQW波長選択スイッチの消費電力低減」, 第57回応用物理学関係連合講演会, 17a-N-1, 平成22年3月
  • 谷村昴, 杉尾崇行, 村上洋介, 下村和彦, 「階段型屈折率分布アレイ導波路を用いた波長選択スイッチの光導波解析」, 第70回応用物理学学術講演会, 11a-P8-20, 平成21年9月
  • 村上洋介, 杉尾崇行, 谷村昴, 下村和彦, 「熱光学効果型GaInAs/InP MQW波長選択スイッチの偏波依存性」, 第70回応用物理学学術講演会, 11a-P8-19, 平成21年9月
  • 杉尾崇行, 谷村昴, 村上洋介, 下村和彦, 「屈折率分布アレイ型波長選択スイッチにおけるクロストーク特性の改善」, 第70回応用物理学学術講演会, 11a-P8-18, 平成21年9月
  • 鈴木勇介, 井上朋紀, 川島史裕, 広岡雅人, 下村 和彦, 「InP(001)基板上におけるMOVPE選択成長とダブルキャップ法を用いた広帯域量子ドットLEDの作製」, 第70回応用物理学学術講演会, 11a-S-7, 平成21年9月
  • 村上洋介, 清水優, 朱蕾, 竹内孝太朗, 下村和彦,「熱光学効果型波長選択スイッチのスイッチング特性」,第56回応用物理学関係連合講演会,2a-A-10,平成21年4月
  • 杉尾崇行, 岩崎寛弥, 谷村昴, 津布久正浩, 下村和彦,「屈折率分布導波路アレイを用いた電流注入型波長選択スイッチの作製」,第56回応用物理学関係連合講演会,2a-A-9, 平成21年4月
  • 廣岡雅人, 赤石昌隆, 斉藤泰仁, 下村和彦,「ダブルキャップ法InAs/InP量子ドットの歪制御層Ga組成依存性」,第56回応用物理学関係連合講演会,1a-J-11,平成21年4月
  • 清水優, 岩崎寛弥, 杉尾崇行, 下村和彦, 「選択成長導波路アレイを用いた熱光学効果型波長スイッチのスイッチング特性」, 第69回応用物理学学術講演会, 4a-ZN-4, 平成20年9月
  • 杉尾崇行, 岩崎寛弥, 清水優, 茂木瑞穂, 下村和彦, 「InP(001)基板上におけるInAs量子ドットの電流注入による屈折率変化量」, 第69回応用物理学学術講演会, 4a-ZN-3, 平成20年9月
  • 赤石昌隆, 斉藤泰仁, 下村和彦, 「ダブルキャップ法におけるInAs量子ドットのGaxIn1-xAsセカンドキャップ層依存性」, 第69回応用物理学学術講演会, 2a-CF-15, 平成20年9月
  • 大川達也, 斉藤泰仁, 赤石昌隆, 下村 和彦, 「InP(001)基板上における選択成長InAs量子ドットを用いた広帯域LEDの作製」, 第55回応用物理学関係連合講演会, 29a-ZQ-10, 平成20年3月
  • 赤石昌隆, 大川達也, 斉藤泰仁, 下村 和彦, 「MOVPE選択成長によるGaInAsキャップ層埋め込みを用いたInAs量子ドット多層化構造」, 第55回応用物理学関係連合講演会, 28a-ZT-7, 平成20年3月
  • 大川達也, 斉藤泰仁, 赤石昌隆, 下村 和彦, 「InP(001)基板上における選択成長InAs量子ドットを用いた広帯域LEDの作製」, 第55回応用物理学関係連合講演会, 29a-ZQ-10, 平成20年3月
  • 赤石昌隆, 大川達也, 斉藤泰仁, 下村 和彦 「MOVPE選択成長によるGaInAsキャップ層埋め込みを用いたInAs量子ドット多層化構造」, 第55回応用物理学関係連合講演会, 28a-ZT-7, 平成20年3月
  • 赤石昌隆, 大川達也, 斉藤泰仁, 下村 和彦 「MOVPE選択成長によるInAs量子ドット構造のGaInAsキャップ層埋め込みによる平坦性評価」, 第68回応用物理学学術講演会, 6p-E-15, 平成19年9月
  • 斉藤泰仁, 大川達也, 赤石昌隆, 下村 和彦 「InP基板上のGaAsバッファー層を用いた選択成長InAs量子ドットの特性」, 第68回応用物理学学術講演会, 6p-E-14, 平成19年9月
  • 大川達也, 赤石昌隆, 斉藤泰仁, 下村 和彦 「InP(001)基板上における選択成長InAs量子ドットのEL特性」, 第68回応用物理学学術講演会, 4p-P3-10, 平成19年9月
  • 杉尾崇行, 松本寛万, 下村和彦, 「階段型屈折率分布アレイ導波路を用いた波長分割光スイッチの数値解析」, 第68回応用物理学学術講演会, 4p-P3-9, 平成19年9月
  • 岩崎寛弥, 川邊壮, 清水優, 杉尾崇行, 下村和彦, 「選択成長アレイ導波路における熱光学効果による屈折率変化量の温度依存性」, 第68回応用物理学学術講演会, 4p-P3-8, 平成19年9月
  • 清水優, 川邊壮, 岩崎寛弥, 杉尾崇行, 下村和彦, 「選択成長導波路アレイを用いた熱光学効果型波長スイッチのスペクトル特性の温度依存性」, 第68回応用物理学学術講演会, 4p-P3-7, 平成19年9月
  • 吉岡太一, 清水優, 茂木瑞穂, 下村和彦, 「選択成長導波路アレイを用いた熱光学効果型波長スイッチの消費電力低減」, 第54回応用物理学関係連合講演会, 30p-SG-7, 平成19年3月
  • 赤石 昌隆, 大川 達也, 山内 雄介, 吉田 順自, 下村 和彦, 「組成変化GaInAs層を用いた選択成長InAs量子ドットの波長制御に関する検討」, 第54回応用物理学関係連合講演会, 28p-Q-9, 平成19年3月
  • 斉藤泰仁, 大川達也, 吉田 順自, 下村 和彦, 「ダブルキャップ法を用いた選択成長InAs量子ドットの成長中断温度依存性」, 第54回応用物理学関係連合講演会, 28p-Q-8, 平成19年3月
  • 茂木瑞穂, 吉岡太一, 清水優, 下村和彦, 「選択成長導波路アレイを用いた熱光学効果による波長スイッチ」, 第66回応用物理学学術講演会, 1a-ZX-10, 平成18年9月
  • 川邊壮, 岩崎寛弥, 松本寛万, 下村和彦, 「熱光学効果による二モード干渉型光スイッチのスイッチング特性」, 第66回応用物理学学術講演会, 1a-ZX-9, 平成18年9月
  • 大川達也, 山内雄介, 吉田順自, 下村和彦, 「InP(001)基板上におけるInAs多層構造量子ドットのサイズ分布および光学特性」, 第66回応用物理学学術講演会, 31p-ZF-18, 平成18年8月
  • 山内雄介, 大川達也, 吉田順自, 下村和彦, 「ダブルキャップ法を用いた選択成長InAs量子ドットの波長制御に関する検討」, 第66回応用物理学学術講演会, 31p-ZF-6, 平成18年8月
  • 大川達也, 山内雄介, 山本純也, 吉田 順自, 下村 和彦, 「InP(001)基板上におけるInAs量子ドットの成長温度・供給量依存性」, 第53回応用物理学関係連合講演会, 25p-T-15, 平成18年3月
  • 町田 大輔, 吉岡 太一, 川北 泰雅, 茂木 瑞穂, 下村 和彦, 「選択成長導波路アレイを用いた熱光学効果による光偏向器の検討」, 第53回応用物理学関係連合講演会, 22a-Y-1, 平成18年3月
  • 山内 雄介, 川北 泰雅, 岡本 理志, 吉田 順自, 下村 和彦, 「組成変化GaInAs層を用いた選択成長InAs量子ドットの形状・密度に関する検討」, 第65回応用物理学学術講演会, 9a-ZA-11, 平成17年9月
  • 川北 泰雅, 町田 大輔, 吉岡 太一, 下村 和彦, 「屈折率分布導波路アレイによる3波長スイッチングの理論検討」, 第65回応用物理学学術講演会, 8a-T-4, 平成17年9月
  • 栗橋 鉄平, 岩淵 裕樹, 福田 秀明, 下村 和彦, 「GaInAs/InP MQW構造を用いたマッハツェンダー干渉型光スイッチにおける非線形屈折率変化測定」, 第65回応用物理学学術講演会, 8a-T-3, 平成17年9月
  • 吉岡 太一, 川北 泰雅, 町田 大輔, 下村 和彦, 「選択成長アレイ導波路波長分波器の偏波無依存化構造に向けた検討」, 第65回応用物理学学術講演会, 8a-T-1, 平成17年9月
  • 川合陽, 川北泰雅, 下村和彦, 「MOVPE選択成長アレイ導波路のGa組成見積もり」, 第52回応用物理学関係連合講演会, 31a-ZM-1, 平成17年3月
  • 岡本理志, 廣瀬和義, 川北 泰雅, 山本純也, 下村和彦, 「ストライプアレイマスクを用いた選択成長によるInAs量子ドットの形状・密度に関する検討」, 第52回応用物理学関係連合講演会, 30p-ZM-4, 平成17年3月
  • 山本純也, 岡本理志, 廣瀬和義, 山内雄介, 下村和彦, 「InP(001)基板上におけるInAs量子ドット多層構造の成長」, 第52回応用物理学関係連合講演会, 30a-ZM-10, 平成17年3月
  • 下田屋卓, 吉岡太一, 川北泰雅, 下村和彦, 「選択成長アレイ導波路波長分波器におけるクロストーク値改善の検討」, 第52回応用物理学関係連合講演会, 29p-ZQ-14, 平成17年3月
  • 栗橋鉄平, 福田秀明, 岩淵裕樹, 下村和彦, 「MOVPE選択成長導波路内の伝搬損失の測定」, 第52回応用物理学関係連合講演会, 29p-ZQ-13, 平成17年3月
  • 下村和彦,川北泰雅, 「屈折率分布アレイ導波路を用いた波長分波器・波長分割スイッチ」, 第52回応用物理学関係連合講演会, 29p-ZH-4, 平成17年3月
  • 川北泰雅, 町田大輔, 下田屋卓, 下村和彦, 「選択成長アレイ導波路を用いた波長分波器における透過特性」, 第64回応用物理学学術講演会, 2a-ZM-4, 平成16年9月
  • 福田秀明, 栗橋鉄平, 岩淵裕樹, 下村和彦, 「二モード干渉導波路におけるスイッチング特性の解析」, 第64回応用物理学学術講演会, 2a-ZM-2, 平成16年9月
  • 岡本理志, 川北泰雅, 廣瀬和義, 山本純也, 下村和彦, 「ストライプアレイマスクを用いた選択成長によるS-Kドットの形状・密度制御」, 第64回応用物理学学術講演会, 1p-P2-15, 平成16年9月
  • 川北泰雅, 町田大輔, 川合陽, 下村和彦, 「[011]方向から傾いた選択成長導波路の断面形状評価」, 第64回応用物理学学術講演会, 1a-P1-30, 平成16年9月
  • 川合陽, 川北泰雅, 下村和彦, 「選択成長アレイ導波路における歪みの成長圧力依存性」, 第64回応用物理学学術講演会, 1a-P1-29, 平成16年9月
  • 廣瀬和義, 岡本理志, 山本純也, 塩田倫也, 下村 和彦, 「InP(001)基板上におけるInAs量子ドットの多層化に向けた平坦条件」, 第51回応用物理学関係連合講演会, 31a-YG-10, 平成16年3月
  • 福田秀明, 結城武彦, 栗橋鉄平, 岩淵裕樹, 下村 和彦, 「MOVPE選択成長法を用いた二モード干渉型素子における波長分波特性」, 第51回応用物理学関係連合講演会, 30a-ZV-6, 平成16年3月
  • 川北泰雅, 下田屋 卓, 町田大輔, 齋藤崇好, 下村 和彦, 「階段型屈折率分布アレイ導波路における波長分波特性」, 第51回応用物理学関係連合講演会, 30a-ZV-5, 平成16年3月
  • 廣瀬和義, 福岡竜二, 下村和彦, 「InP(001)基板上におけるInAs量子ドットの成長条件依存性」, 第63回応用物理学学術講演会, 31p-K-11, 平成15年8月
  • 川合陽, 森口裕亮, 下村和彦, 「選択成長アレイ導波路の層厚比SiO2膜厚依存性」, 第63回応用物理学学術講演会, 31a-K-4, 平成15年8月
  • 齋藤崇好, 川北 泰雅, 下田屋卓, 下村 和彦, 「干渉用スラブ領域を設けた階段型屈折率分布アレイ導波路の回折像測定」, 第63回応用物理学学術講演会, 30a-YH-13, 平成15年8月
  • 川北泰雅, 齋藤崇好, 下田屋卓, 下村 和彦, 「階段型屈折率分布アレイ導波路の波長スイッチングの理論検討」, 第63回応用物理学学術講演会, 30a-YH-12, 平成15年8月
  • 川北 泰雅, 齋藤 崇好,下田屋 卓,森口 裕亮,下村 和彦, 「MOVPE選択成長法による階段型屈折率分布アレイ導波路の回折像測定」, 第50回応用物理学関係連合講演会, 平成15年3月
  • 結城武彦, 下村和彦, 「GaInAs/InP MQW構造を用いた交差型全光スイッチのスイッチング特性」, 第63回応用物理学学術講演会, 24p-B-15, 平成14年9月
  • 川北泰雅, 森口裕亮,下村和彦, 「MOVPE選択成長法による階段型屈折率分布アレイ導波路の遠視野像測定」, 第63回応用物理学学術講演会, 24p-B-2, 平成14年9月
  • 森口裕亮, 下村和彦, 「選択成長アレイ導波路のV/III比依存性」, 第63回応用物理学学術講演会, 25a-YD-15, 平成14年9月
  • 後藤芳男, 磯山啓明, 岸野克巳, 菊池昭彦, 下村和彦, 「1.55μm光通信波長AlGaN/GaN方向性結合器の作製」, 第63回応用物理学学術講演会, 24p-B-1, 平成14年9月
  • 西本正則,三木一憲,野村一郎,下村和彦, 「アレイ導波路を用いたCWDM用一波分波器の検討 -温度特性および偏波特性の検討-」, 第49回応用物理学関係連合講演会, 29a-ZS-8, 平成14年3月
  • 福岡 竜二,山崎 功一朗,下村 和彦, 「InP(001)基板上におけるInAs量子ドットの成長圧力依存性」, 第49回応用物理学関係連合講演会, 29a-ZQ-8, 平成14年3月
  • 森口裕亮,木原達哉,下村和彦, 「選択成長アレイ導波路の層厚とPL波長の関係について」, 第49回応用物理学関係連合講演会, 28a-ZQ-11, 平成14年3月
  • 西本正則,三木一憲,野村一郎,下村和彦, 「アレイ導波路を用いたCWDM用一波分波器の検討」, 第62回応用物理学学術講演会, 14a-Y-2, 平成13年9月
  • 川北 泰雅, 野村 一郎, 下村 和彦, 「アレイ導波路型波長分割光スイッチの数値解析」, 第62回応用物理学学術講演会, 14a-Y-1, 平成13年9月
  • 山崎 功一朗,福岡竜二, 野村一郎,下村 和彦, 「InP基板上自己形成InAs量子ドットの3次非線形感受率の計算」, 第62回応用物理学学術講演会, 13a-Y-9, 平成13年9月
  • 木原達哉,森口裕亮,野村一郎,下村和彦, 「選択成長アレイ導波路の膜厚差成長条件依存性」, 第62回応用物理学学術講演会, 13a-T-5, 平成13年9月
  • 後藤芳男,川北泰雅,岸野克巳,菊池昭彦,野村一郎,下村和彦, 「1.55μm光通信波長AlGaN/GaN光導波路の作製」, 第62回応用物理学学術講演会, 12p-Q-16, 平成13年9月
  • 山崎功一朗,福岡竜二,下村和彦,小関 健, 「四光波混合を用いた波長変換素子のための量子ドットの作製」, 第48回応用物理学関係連合講演会, 29a-ZV-9, 平成13年3月
  • 中山佳英,下村和彦, 「交差型光-光スイッチの作製」, 第48回応用物理学関係連合講演会, 28p-YF-8, 平成13年3月
  • 川北泰雅,三木一憲,木原達哉,下村和彦, 「MMI入射導波路を用いたアレイ導波路型波長分割素子の設計」, 第48回応用物理学関係連合講演会, 28p-YF-5, 平成13年3月
  • 西本正則,三木一憲,野村一郎,下村和彦, 「アレイ導波路を用いたCWDM用一波分波器の検討」, 第62回応用物理学学術講演会, 14a-Y-2, 平成13年9月
  • 川北 泰雅, 野村 一郎, 下村 和彦, 「アレイ導波路型波長分割光スイッチの数値解析」, 第62回応用物理学学術講演会, 14a-Y-1, 平成13年9月
  • 山崎 功一朗,福岡竜二, 野村一郎,下村 和彦, 「InP基板上自己形成InAs量子ドットの3次非線形感受率の計算」, 第62回応用物理学学術講演会, 13a-Y-9, 平成13年9月
  • 木原達哉,森口裕亮,野村一郎,下村和彦, 「選択成長アレイ導波路の膜厚差成長条件依存性」, 第62回応用物理学学術講演会, 13a-T-5, 平成13年9月
  • 後藤芳男,川北泰雅,岸野克巳,菊池昭彦,野村一郎,下村和彦, 「1.55μm光通信波長AlGaN/GaN光導波路の作製」, 第62回応用物理学学術講演会, 12p-Q-16, 平成13年9月
  • 山﨑功一郎,福岡竜二,下村和彦,小関 健, 「四光波混合を用いた波長変換素子のための量子ドットの作製」, 第61回応用物理学学術講演会, 4a-ZE-22, 平成12年9月
  • 高野洋平,中山佳英,下村和彦, 「AlAs酸化膜-InP直接貼付による光制御FETの提案」, 第61回応用物理学学術講演会, 3p-Q-9, 平成12年9月
  • 木原達哉,三木一憲,川北泰雅,下村和彦, 「MOVPE選択成長を用いた光偏向器の作製」, 第61回応用物理学学術講演会, 3a-Q-14, 平成12年9月
  • 川北泰雅,木原達哉,三木一憲,下村和彦, 「アレイ導波路型光偏向器のためのMMI入射導波路の設計」, 第61回応用物理学学術講演会, 3a-Q-13, 平成12年9月
  • 三木一憲,木原達哉,川北泰雅,下村和彦, 「アレイ導波路を用いた波長分割型光スイッチの数値解析」, 第61回応用物理学学術講演会, 3a-Q-12, 平成12年9月
  • 木原達哉,須田浩章,新田雄一,下村和彦, 「MOVPE選択成長による導波路アレーの波長制御」, 第47回応用物理学関係連合講演会, 31a-P-20, 平成12年3月
  • 三木一憲,新田雄一,下村和彦, 「選択成長を用いた光偏向器における偏向角の屈折率変化依存性」, 第47回応用物理学関係連合講演会, 29p-ZF-4, 平成12年3月
  • ラタポン・サットルサヤェン,山本裕也,下村和彦, 「GaInAs/InP MQW構造櫛型光偏向素子における屈折率変化・吸収係数変化の波長依存性」, 第60回応用物理学学術講演会, 3a-ZB-11, 平成11年9月
  • 新田雄一,ラタポン・サットルサヤエン,吉田聖書,杉澤雄也,下村和彦, 「選択成長を用いた光偏向器の提案」, 第46回応用物理学関係連合講演会, 28p-A-18, 平成11年3月
  • ラタポン・サットルサヤェン,山本裕也,新田雄一,下村和彦, 「GaInAs/InP MQW構造櫛型光偏向素子の偏向特性の向上」, 第46回応用物理学関係連合講演会, 28p-A-12, 平成11年3月
  • 新田雄一,ラタポン・サットルサヤエン,吉田聖書,杉澤雄也,下村和彦, 「リング型マスクを用いたMOVPE選択成長に関する評価」, 第59回応用物理学学術講演会, 17p-YE-3, 平成10年9月
  • 新田雄一,高野洋平,下村和彦, 「光制御CMOSの提案」, 第59回応用物理学学術講演会, 16p-S-13, 平成10年9月
  • ラタポン・サットルサヤエン,新田雄一,下村和彦, 「電界屈折率変化を用いた櫛形光偏向素子の数値計算」, 第59回応用物理学学術講演会, 16p-T-1, 平成10年9月
  • 佐久間剛,ラタポン・サットルサヤェン,下村和彦, 「電界屈折率変化を用いた櫛型光偏向素子の試作および評価」, 第45回応用物理学関係連合講演会, 29a-SZL-16, 平成10年3月
  • 新井将之,新田雄一,下村和彦, 「MOVPE法による選択成長を用いた面型光デバイス作製に関する検討」, 第45回応用物理学関係連合講演会, 29a-SZL-29, 平成10年3月
  • 島根誉,下村和彦, 「CH4を用いたアトムビームエッチングによるInGaAs表面損傷」, 第45回応用物理学関係連合講演会, 30p-Q-3, 平成10年3月
  • 山縣智成,木下和敏,櫻井幹,下村和彦, 「直接貼付光制御MOSFETのゲート長依存性」, 第45回応用物理学関係連合講演会, 29p-ZL-7, 平成10年3月
  • 佐久間剛,ラタポン・サットルサヤェン,下村和彦, 「InGaAsP/InP MQW構造屈折率分布型導波路光偏向器の試作」, 第58回応用物理学学術講演会, 5p-ZB-8, 平成9年10月
  • 小林隆史,下村和彦, 「歪量子井戸における屈折率変化と吸収変化」, 第58回応用物理学学術講演会, 4p-ZB-19, 平成9年10月
  • 島根誉,下村和彦, 「アトムビームエッチング装置におけるエッチング幅依存性」, 第58回応用物理学学術講演会, 4a-A-7, 平成9年10月
  • 高学廉,下村和彦,小関健, 「低次元量子井戸構造における3次元非線形感受率の数値解析」, 第44回応用物理学関係連合講演会, 30p-NE-18, 平成9年3月
  • 新井将之,原口勝,服部洋,森田敏弘,野村一郎,菊池昭彦,下村和彦,岸野克巳, 「InP基板上ZnCdSe/MgZnCdSe MQW構造を用いた共振型光変調器の数値解析」, 第44回応用物理学関係連合講演会, 30p-P-1, 平成9年3月
  • 酒井崇幸,武居靖大,下村和彦, 「集積型光制御HEMTの試作及び動作特性」, 第44回応用物理学関係連合講演会, 29p-NF-16, 平成9年3月
  • 佐久間剛,本吉慎一郎,下村和彦, 「GaInAsP/InP MQW構造屈折率分布型導波路光偏向器の試作」, 第44回応用物理学関係連合講演会, 29a-NE-11, 平成9年3月
  • 本吉慎一郎,佐久間剛,小林隆史,下村和彦, 「FD-BPMによる屈折率分布型導波路光偏向器の数値解析」, 第44回応用物理学関係連合講演会, 29a-NE-10, 平成9年3月
  • 山縣智成,酒井崇幸,坂田和昭,下村和彦, 「SiO2/InP直接貼付技術を用いた光制御MOSFETの試作」, 第57回応用物理学学術講演会, 9p-KF-3, 平成8年9月
  • 原口勝,森田敏弘,野村一郎,菊池昭彦,下村和彦,岸野克巳, 「InP基板上のZnCdSe/MgZnCdSe多重量子井戸光変調器の基礎検討」, 第57回応用物理学学術講演会, 8a-SZN-9, 平成8年9月
  • 小林隆史,下村和彦, 「FD-BPMによる光偏向器の数値解析」, 第43回応用物理学関係連合講演会, 28p-D-6, 平成8年3月
  • 島根誉,船本憲司,下村和彦, 「アトムビームエッチング装置を用いたCH4によるGaAsエッチング」, 第43回応用物理学関係連合講演会, 27p-M-13, 平成8年3月
  • 新井将之,下村和彦, 「メサエッチングと陽極化成酸化法を用いたGaInAsP/InP極微構造導波路の形成」, 第43回応用物理学関係連合講演会, 27p-D-1, 平成8年3月
  • 山縣智成,下村和彦, 「光制御MOSFETの応答感度特性」, 第43回応用物理学関係連合講演会, 26a-STE-11, 平成8年3月
  • 酒井崇幸,下村和彦, 「直接貼付光制御FETにおける電圧電流特性」, 第43回応用物理学関係連合講演会, 26a-STE-10, 平成8年3月
  • 船本憲司,佐久間剛,下村和彦, 「MESFET型光制御FETの光入射特性」, 第56回応用物理学学術講演会, 28p-ZA-14, 平成7年8月
  • 酒井崇幸,島根誉,下村和彦, 「直接貼付技術を用いた光制御FETの入射光強度依存性」, 第56回応用物理学学術講演会, 28p-ZA-13, 平成7年8月
  • 小林隆史,酒井崇幸,下村和彦, 「BPM法による光偏向素子の数値解析」, 第56回応用物理学学術講演会, 28a-SQ-2, 平成7年8月
  • 清田要,網代孝,下村和彦, 「面型光偏向素子の解析」, 第42回応用物理学関係連合講演会, 30a-ZF-10, 平成7年3月
  • 酒井崇幸,清水行男,下村和彦, 「直接貼付技術を用いた光制御FETの光入射特性」, 第42回応用物理学関係連合講演会, 29a-ZE-7, 平成7年3月
  • 清水行男, 鈴木将昭,船本憲司,下村和彦, 「光制御MOSFETの光入射特性」, 第42回応用物理学関係連合講演会, 29a-ZE-6, 平成7年3月
  • 酒井崇幸,清水行男, 鈴木将昭,下村和彦, 「直接貼付技術を用いた光制御トランジスタの試作」, 第55回応用物理学学術講演会, 19a-R-9, 平成6年9月
  • 船本憲司,清水行男, 下村和彦, 「静電誘導ゲートを用いた光制御FETの試作」, 第55回応用物理学学術講演会, 19a-R-8, 平成6年9月
  • 清水行男, 下村和彦, 「電界遮蔽効果を用いた光制御FETの光入射特性II」, 第55回応用物理学学術講演会, 19a-R-7, 平成6年9月
  • 清水行男, 矢作雅之, 下村和彦 「電界遮蔽効果を用いた光制御FETの光入射特性」, 第41回応用物理学関係連合講演会, 28a-L-9, 平成6年3月
  • 清水行男, 矢作雅之, 下村和彦, 「電界遮蔽効果を用いた光制御FETの作製」, 第41回応用物理学関係連合講演会, 28a-L-8, 平成6年3月
  • 清水行男, 下村和彦, 「電界遮蔽効果を用いた光制御FETにおける変調電流の解析」, 第54回応用物理学会学術講演会, 29p-ZP-13, 平成5年9月
  • 下村和彦, 「電界遮蔽効果を用いたFET型光検出器における入射光強度依存性」, 第40回応用物理学関係連合講演会, 31p-A-5, 平成5年3月
  • 下村和彦, 「電界遮蔽効果を用いたFET型光検出器」, 第53回応用物理学会学術講演会, 18a-SW-4, 平成4年9月


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